发明名称 Verfahren zur Herstellung von Monolagen aus Silizium-Nanoclustern in Siliziumdioxid
摘要 Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zu schaffen, das die Erzeugung von Nanoclustern zur Ladungsträgerspeicherung im Siliziumdioxid in konkretem Abstand von der Siliziumdioxid/ Silizium-Grenzfläche mit idealerweise unimodaler Größenverteilung, und in einer Monolage angeordnet, erlaubt, ohne daß von außen zusätzliche Stoffe in die Siliziumdioxid-Schicht eingebracht werden müssen. DOLLAR A Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß eine Siliziumdioxid-Schicht auf einem Siliziumsubstrat bei in der Regel gegenüber Raumtemperatur erhöhter Temperatur, die jedoch unterhalb einer kritischen Temperatur Tc liegt, mit hochenergetischen Ionen durchstrahlt wird und durch Ionenstrahlmischen des grenzflächennahen Bereiches im Siliziumdioxid eine Monolage aus Silizium-Nanoclustern erzeugt wird. Die Siliziumdioxid-Schicht kann durch eine oder mehrere Schichten abgedeckt sein.
申请公布号 DE19933632(A1) 申请公布日期 2001.01.18
申请号 DE19991033632 申请日期 1999.07.17
申请人 FORSCHUNGSZENTRUM ROSSENDORF E.V. 发明人 SCHMIDT, BERND;HEINIG, KARL-HEINZ
分类号 C23C14/48;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/28;H01L21/322;H01L21/336;H01L29/51;(IPC1-7):C23C14/48 主分类号 C23C14/48
代理机构 代理人
主权项
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