| 摘要 |
<p>In der Vakuumbehandlungskammer (1) einer Vakuumbehandlungsanlage sind mindestens zwei Plasmastrahl-Entladungsanordnungen (5, 9) vorgesehen, mit parallelen Entladungsachsen (A). Entlang einer Fläche (13), welche sich mit vorgegebenen Abständen von den Strahlachsen (A) erstreckt, ist eine Abscheidungsanordnung positioniert. Zu behandelnde Werkstückoberflächen werden entlang der Abscheidungsanordnung angeordnet und mittels der Plasmaentladung angeregtem, durch die Gaszufuhranordnung (15) der Kammer (1) zugeführtem Reaktivgas ausgesetzt.</p> |
