热电转换材料及其制造方法

摘要

包括通过将各种杂质添加到Si中而获得的一种p－型半导体或者一种n－型半导体的一种新的、硅基热电转换材料,这种热电转换材料有很好的成品率,并且其价格低,具有稳定的质量和高的性能指数。一般来说,当各种元素被添加到Si中时,随着载流于浓度的增加,这种材料的Seebeck系数减小,直到载流于浓度超过10¹⁸(M/m³),并且当载流于浓度在10¹⁸到10¹⁹M/m³内时可以获得一种最小的Seebeck系数。本发明的材料是载流于浓度是10¹⁷到10²⁰M/m³、并且包括Si和0.001－0.5原子%的Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Hg,B,Al,Ga,In,Tl中的一种或者多个元素,或N,P,As,Sb,Bi,O,S,Se,Te中一种或者多个元素的一种p－型半导体或者一种n－型半导体,本发明的另一种材料是载流子浓度是10¹⁹到10²¹(M/m³)、并且包括Si和含量的原子百分比是0.5原子%到10原子%的上述元素中的一种或者多个元素的一种p－型半导体或者一种n－型半导体。

主权项

1．由一种p-型半导体组成的热电转换材料，其中，用于制造p-型半导体的掺杂物被单个地或者混合地添加且其在硅中的含量是0．001原子％到20原子％。