发明名称 Processo de deposição quìmica a vapor para a hidrofobização de papel
摘要 "PROCESSO DE DEPOSIçãO QUìMICA A VAPOR PARA A HIDROFOBIZAçãO DE PAPEL", onde o composto Hexametildissilazana é depositado pelo processo de deposição química a vapor sobre o papel, tornando-o hidrofóbico. O processo utiliza um reator de plasmas que consiste basicamente de uma câmara de vácuo (1), onde dois eletrodos (2) são ligados a uma fonte de tensão alternada de 40 kHz (3) com um módulo de casamento de impedâncias (4). A câmara é evacuada por uma bomba mecânica (5), que possue um filtro (6) e uma armadilha gelada (7), e a velocidade de bombeamento é controlada pela abertura de uma válvula (8). O vapor do monómero é injetado através da diferença entre a pressão de vapor do monómero (9) mantido num banho a temperatura controlada (10), e a pressão da câmara. O fluxo é controlado por uma válvula agulha (11). As amostras são colocadas no eletrodo aterrado a uma temperatura entre 20 °C e 60 °C, e após o estabelecimento da pressão desejada, na faixa de 0.1 Torr a 2 Torr, a fonte de tensão é ligada com potências entre 5W e 50W, formando um plasma com W/FM entre 5x10 ^2 ^ MJ/kg e 7.5x10 ^3 ^ MJ/kg. O tratamento tem duração típica de 2 a 4 minutos. Variações do processo utilizam o Tetraetilortossilicato, e o n-Hexano como impurificantes, para obter ângulos de contato menores ou diminuir os custos, respectivamente
申请公布号 BR9903097(A) 申请公布日期 2001.01.16
申请号 BR1999PI03097 申请日期 1999.06.23
申请人 ING HWIE TAN;MARIA LUCIA PEREIRA DA SILVA 发明人 ING HWIE TAN;MARIA LUCIA PEREIRA DA SILVA
分类号 D21H21/20;(IPC1-7):D21H21/20 主分类号 D21H21/20
代理机构 代理人
主权项
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