| 发明名称 |
An improved method to form shallow trench isolation structures |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG77724(A1) |
申请公布日期 |
2001.01.16 |
| 申请号 |
SG20000000529 |
申请日期 |
2000.01.28 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD |
发明人 |
SHENG ZHOU MEI;XUN LI JIAN;HUA ZHONG QING |
| 分类号 |
H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/762 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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