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<p>본 발명은 레이져 빔의 가간섭성을 낮추는 반도체 제조용 노광장치에 관한 것으로, 제 1 레이져 빔을 발생시키는 광원부와, 상기 제 1 레이져 빔이 서로 다른 광 통과경로 및 광 통과시간을 갖도록 하여 가간섭성이 저하된 제 2 레이져 빔을 형성하는 광원가간섭 저하부와, 상기 제 2 레이져 빔의 배율을 조절하여 제 3 레이져 빔을 형성하는 렌즈부와, 상기 제 3 레이져 빔을 통해 웨이퍼에 전사될 패턴을 형성하는 레티클부와, 상기 레티클부에서 형성된 패턴을 웨이퍼 상에 투영시키는 투영부를 포함하여 이루어지거나, 제 1 레이져 빔을 발생시키는 광원부와, 상기 제 1 레이져 빔을 반복적으로 차단 또는 투과시켜 가간섭성이 저하된 제 2 레이져 빔을 형성하는 고주파 광스위치부와, 상기 제 2 레이져 빔의 배율을 조절하여 제 3 레이져 빔을 형성하는 렌즈부와, 상기 제 3 레이져 빔을 통해 웨이퍼에 전사될 패턴을 형성하기 위한 레티클부와, 상기 레티클부에서 형성된 패턴을 웨이퍼 상에 투영시키는 투영부를 포함하여 이루어진다. 따라서, 레이져 빔의 가간섭성을 저하시키며, 레이져 빔의 에너지 손실을 줄일수 가 있게 되고, 레이져 빔의 가간섭성 제어가 더욱 효율적으로 이루어진다.</p> |
