| 摘要 |
기판의 표면측의 피배선 접속 영역에 대하여, 그 표면측에 형성된 층간 절연막의 접속 홀을 통하여 배선층이 도전 접속하는 반도체 장치에 있어서, 제1도에 도시된 것처럼, 접속 홀(15)의 저면측에서 알루미늄층인 배선층(16)의 표면에까지 도달하는 凹부(17)를 텅스텐막인 플러그 전극(18)에 의해 몰입된다. 배선층(16)의 기계적 및 전기적 특성은 플러그 전극(18)에 의해서 향상한다. 또한, 제12도에 도시된 것처럼, 기판(72)의 표면측에 층간 절연막(74) 및 알루미늄층인 배선층(76)을 적층하고, 그것들을 개구한 凹부(77)에 텅스텐막인 플러그 전극(78)을 몰입되어, 이 플러그 전극(78)을 통해, 배선층(76)과 확산층(73)을 도전 접속시킨다. |
