| 摘要 |
<p>단지 1번의 열 산화에 의한 간단한 공정으로 스플릿 게이트 산화막을 제조하며, 특히 게이트 산화막을 산질화막으로 형성하여 P 모스에서의 붕산 도펀트의 확산에 의한 게이트 페너트레이션을 억제시켜 극박 게이트의 신뢰성을 향상시키기 위한 것으로, 실리콘웨이퍼에 정의된 상보형 모스 트랜지스터의 각 모스 트랜지스터 영역에 희생 산화막을 통해 선택적으로 임계 전압 조절, 펀치 스루 방지, 채널 스톱 형성, 웰 형성 등을 위한 이온 주입 공정을 한 후, 질소가 함유된 가스 분위기에서 급속 열처리하여 각 모스 트랜지스터 영역의 실리콘웨이퍼에 질소를 도핑한 다음, 저전압 구동의 모스 트랜지스터 영역만 드러나도록 마스킹 한 다음, 습식 세정에 의해 저전압 구동 모스 트랜지스터 영역의 희생 산화막을 선택적으로 제거한다. 그리고, 실리콘웨이퍼를 질소 가스 분위기에서 급속 열처리하여 이온 주입 공정에 의한 실리콘웨이퍼의 손상을 회복시키며, 습식 세정하여 고전압 구동 트랜지스터 영역의 희생 산화막을 제거한 다음, 열 산화하여 상기 저전압 및 저전압 구동 트랜지스터에 서로 두께가 다른 게이트 산질화막을 형성한다.</p> |
