| 摘要 |
본 발명의 반도체 장치 제조 방법에 따르면, 펌프(2)에 의해 저압으로 유지된 반응 챔버(1)에서 공정 가스(5)로부터 반도체 웨이퍼(4)의 표면상에 물질층(6)을 증착하되, 반응 챔버(1)내에서 웨이퍼(4)를 가스 살포판(7)과 나란하게 배치하여, 반응 챔버(1)에 대해 주변 개방 연결구(9)를 갖는 플레이너 공정 공간(8)을 형성한 후, 가스 살포판(7)내의 유입구(10)들을 통해 공정 공간(8)으로 공정 가스(5)를 유입시키는 동안, 개방 연결구(9) 주위에서는 반응 챔버(1)내로 보조 가스(11)를 유입시킨다. 본 발명에 따르면, 보조 가스(11)는, 개방 연결구(9)의 가스 압력이 공정 공간(8)내의 가스 압력과 사실상 동일해지도록 반응 챔버(1)내로 유입된다. 본 발명에 따른 방법은 공정 공간(8)내의 공정 가스(5)가 사실상 이동하지 않도록 함으로써, “정체 층(stagnant layer)”이 형성된다. 이 때, 공정 공간(8)내의 공정 가스(5)는 층(6)을 형성하는데 사실상 모두 사용되므로, 소량의 공정 가스(5)가 사용될 수 있다. 더욱이 정체된 공정 가스(5)로 인하여 더욱 균일한 층(6)이 얻어진다. |
