| 摘要 |
<p>커패시터의 특성을 향상시키고, 비트 레졸루션(bit resolution)을 증가시켜 고정밀(high accuracy) 아날로그 소자를 구현할 수 있도록 한 반도체 집적회로(로직 회로나 아날로그 회로)의 커패시터 제조방법이 개시된다. 제 1 층간 절연막이 구비된 기판 상에 제 1 에치스토퍼막과 제 2 층간 절연막을 순차적으로 형성하고, 배선 라인 형성부와 커패시터 형성부의 제 1 에치스토퍼막 표면이 노출되도록 제 2 층간 절연막을 선택식각한 다음, 그 전면에 Cu 재질의 제 1 도전성막을 형성하고, 제 2 층간 절연막의 표면이 노출될 때까지 이를 CMP 처리하여 제 1 배선 라인과 하부전극을 형성한다. 상기 결과물 상에 제 3 층간 절연막과 제 2 에치스토퍼막 및 제 4 층간 절연막을 순차적으로 형성하고, 배선 라인 형성부와 커패시터 형성부의 제 2 에치스토퍼막 표면이 노출되도록 제 4 층간 절연막을 선택식각한다. 하부전극의 표면이 소정 부분 노출되도록 제 2 에치스토퍼막과 제 3 층간 절연막을 선택식각하여 제 1 비어 홀을 형성하고, 그 전면에 유전막을 형성한 다음, 제 1 배선 라인의 표면이 소정 부분 노출되도록 유전막과 제 2 에치 스토퍼막 및 상기 제 3 층간 절연막을 선택식각하여 제 2 비어 홀을 형성한다. 상기 결과물 상에 Cu 재질의 제 2 도전성막을 형성하고, 이를 CMP 처리하여 제 1 배선 라인과 연결되는 제 2 배선 라인과 상부전극을 형성한다.</p> |
