发明名称 High vacuum anneal chamber for hemispherical grain forming process
摘要 <p>목적: 챔버 외부에 형성된 함몰부를 제거하여 진공 와류의 발생을 방지하고 파티클이 용이하게 배출될 수 있도록 개선된 HSG 공정용 챔버를 제공한다. 구성: 챔버 내부에는 웨이퍼를 안치하는 서셉터 및 상기 웨이퍼에 열을 공급하는 히터가 구비되고, 챔버벽에는 트랜스퍼 챔버와의 웨이퍼 출입을 위한 웨이퍼 출입구와, 배큠 조성 및 챔버 내 반응가스 및 부산물의 배출을 위한 배기구가 형성되고, 상기 웨이퍼 출입구 및 배기구의 외측 하방이 각각 함몰된 구조로 된 HSG 공정용 고진공 열처리 챔버에 있어서, 상기 함몰부 각각을 상기 챔버 재료와 동일한 재료로 형성된 블록실드로 매립시켜 출입구 및 배기구의 개폐시에 상기 챔버 내부와 외부의 압력차로 발생하는 공기흐름이 원활하게 이루어지도록 한다. 효과 : 챔버 내의 진공 흐름시에 와류 발생을 방지하여 파티클의 배출을 용이하게 함으로써 챔버 내 파티클의 누적량을 줄일 수 있고, HSG 공정 중에는 부유된 파티클이 웨이퍼에 흡착되는 것을 방지하여 제조 수율을 향상시킬 수 있다.</p>
申请公布号 KR20010001411(U) 申请公布日期 2001.01.15
申请号 KR19990011851U 申请日期 1999.06.29
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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