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<p>반도체소자의 실리사이드막은, 웨이퍼를 준비하고, 웨이퍼상에 트랜지스터패턴을 형성하고, 트렌지스터패턴이 형성된 웨이퍼를 세정하고, 웨이퍼상에 남아있는 불순물의 제거를 위하여 디가스공정을 수행하고, 상기 웨이퍼를 예열하고, 상기 웨이퍼의 상면 및 상기 트렌지스터패턴상에 금속 박막을 증착하고, 상기 웨이퍼 및 트렌지스터패턴과 상기 금속 박막 사이에서 확산작용이 이루어지도록 열처리하여, 실리사이드 막을 형성하는 단계를 통하여 형성된다. 이때, 형성되는 실시사이드막의 표면저항을 최소화 하기 위하여, 상기 불순물을 제거하기 위한 디가스 공정은 약 90 내지 210℃의 온도 조건하에서 이루어졌으며, 상기 웨이퍼의 예열온도는 약 80 내지 120℃로 하였다. 더욱 바람직하게는 상기 웨이퍼의 에열온도는 약 100℃가 좋으며, 상기 불순물을 제거하기위한 디가스온도는 약 90 내지 130℃가좋다.</p> |
