| 摘要 |
<p>본 발명은 LSI, 초LSI 등의 고밀도 집적회로의 제조에 사용되는 포토마스크 제조방법에 관한 것으로, 특히 미세한 패턴을 고정밀도로 형성할 때의 위상 시프트층을 갖는 포토마스크, 그 제조방법 및 수정방법에 관한 것이다. 본 발명은 적어도 스핀 온 글라스(SOG)의 출발원료를 균일하게 도포하는 공정과, 도포된 스핀 온 글라스층을 에너지선으로 직접 묘화하는 공정과, 에너지선에 의한 묘화 후의 기판을 용제로 현상하여 전리방사선을 조사한 부분 이외의 스핀 온 글라스를 씻어내는 공정과, 현상 후의 기판을 소성하는 공정으로 구성된다. 본 발명에 의하면 고분해능, 고콘트래스트, 고정밀도이면서도 검사나 수정이 쉬운 위상 시프트 마스크를 안정하고 용이하게 제조할 수 있는 것이다.</p> |
