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<p>게이트 산화막 및 폴리실리콘층은 실리콘 기판 상에 형성되고, 포토레지스트의 패턴은 폴리실리콘층 상에 형성된다. 실리콘층은 CF, CHF, CHF및 CF와 같은 CF계 가스 또는 동일물을 함유한 혼합 가스를 사용하여 포토레지스트를 마스크로 사용하여 불충분하게 에칭된다. 이것은 에칭된 홀의 측면에 플루오르카본계 침전물을 남긴다. 다음에, 실리콘막의 임의의 잔여물은 Cl, HBr, SF또는 O의 가스를 사용하여 에칭된다. 이것은 에칭 후 경사진 측면을 갖는 형상을 제공할 수 있게 한다.</p> |
