于积体电路封装之组合时将焊锡凸块多工结合至各式基材之方法

摘要

用于组合积体电路封装时将焊锡凸块多工结合至各式基材系包括，放置具有焊锡凸块结构(314)之半导体基材(312)以和具有晶片衬垫(322,334)之陶瓷基材(320)接触，及放置此结构与球栅极阵列球体(ball grid array spheres)(352)接触，以在个别流程处理中形成CBGA(360)。该方法包括之步骤如下，提供具有至少一个第一互连结构连接至半导体装置表面(501)之半导体装置，及提供一个具有多个金属化衬垫之基材(503)；放置至少一个第二互连结构以和一个或多个金属化衬垫(505)对齐接触；放置至少一个第一互连结构以和一个或多个金属化衬垫(507)对齐接触；及使至少一个第一互连结构与至少一个第二互连结构同时再流动以将半导体装置及至少一个第二互连结构连接至基材之金属化衬垫(509)。

主权项

1.一种封装积体电路之方法,该方法系包括如下步骤:提供一具有顶侧及底侧之基材,且该基材于第一侧具有第一组多个金属化衬垫及于第二侧具有第二组多个金属化衬垫;提供一具有第一互连结构附着于其上之半导体装置;放置该第一互连结构及其所附着之半导体装置,以和第一组多个金属化衬垫对齐接触;放置一第二互连结构之焊锡球体,以和第二组多个金属化衬垫对齐接触;及同时再流动第一互连结构及第二互连结构以将半导体装置及第二互连结构连接基材之第一组及第二组多个金属化衬垫。2.如申请专利范围第1项之方法,其中第一互连结构乃含有低温材料。3.如申请专利范围第1项之方法,其中第二互连结构系能在低温之下黏附。4.如申请专利范围第1项之方法,其中同时再流动之步骤包括以电及机械方式使半导体装置及第二互连结构连接至第一组及第二组多个金属化衬垫。5.如申请专利范围第1项之方法,其中同时使焊锡再流动之步骤系使半导体装置曝露,并且其至少有一个第二互连结构曝露在小于约250℃之温度下。图式简单说明:第一图系示出根据先前技艺之CBGA组合。第二图系以流程图示出根据先前技艺之CBGA组合方法。第三图系示出根据本发明较佳具体实施例之CBGA组合。第四图系以流程图示出根据本发明较佳具体实施例之CBGA组合。第五图系示出根据本发明较佳具体实施例实施CBGA处理法之流程图。