| 主权项 |
1.一种图样形成方法,包括下列步骤:在一基体上形成一无法溶解于一蚀刻溶液中的金属电镀薄膜;在所述电镀薄膜上形成一光敏薄膜;使用一预定图样的光掩模,利用将所述光敏薄膜暴露于放射源,而形成一光阻图样,然后显像;藉着使用光阻图样作为一掩模而形成一电镀薄膜图样;除去光阻图样;藉着使用所述电镀薄膜图样作为一蚀刻掩模而蚀刻基体;以及除去电镀薄膜图样。2.如申请专利范围第1项之方法,其中光敏薄膜包括光阻剂,而光阻图样形成步骤包括将光阻薄膜暴露至光底下者。3.如申请专利范围第1项之方法,其中光阻图样去除步骤与电镀薄膜图样去除步骤分别包括完全去除光阻图样与完全去除电镀薄膜图样的程序者。4.如申请专利范围第1项之方法,其中所述电镀薄膜系藉由电解电镀而形成,所述电镀薄膜图样形成与电镀薄膜图样去除系利用施加电流于一已施加于电镀薄膜形成步骤的电流之相反方向而进行者。5.一种制造导线架的方法,包括下列步骤:在一导线架基体上形成一无法溶解于一蚀刻溶液中的金属电镀薄膜;在所述电镀薄膜上形成一光阻薄膜;使用一预定图像的光掩模,利用将所述光敏薄膜暴露于放射源,而形成一光阻图样,然后显像;藉着使用所述光阻图样作为一掩模而形成一电镀薄膜图样;除去光阻图样;藉着使用所述电镀薄膜图样作为一蚀刻掩模而蚀刻基体;以及除去电镀薄膜图样。6.如申请专利范围第5项之方法,其中光敏薄膜包括光阻剂,而光阻图样形成步骤包括将光阻薄膜暴露至光底下者。7.如申请专利范围第5项之方法,其中光阻图样去除步骤与电镀薄膜图样去除步骤分别包括完全去除光阻图样与完全去除电镀薄膜图样的程序者。8.如申请专利范围第5项之方法,其中所述电镀薄膜系藉由电解电镀而形成,所述电镀薄膜图样形成与电镀薄膜图样去除系利用施加电流于一已施加来电镀的电流之相反方向而进行者。9.如申请专利范围第5项之方法,其中所述电镀薄膜的厚度约为0.1-1m者。10.如申请专利范围第5项之方法,其中所述支架基体系以一从包括铜、铁、镍与不锈钢合金的群中选出的金属所形成,所述电镀薄膜则以一从包括金、银与钯的群中选出的金属者。图式简单说明:第一图为依照习知技艺制造半导体导线架之流程图。第二图为依照本发明之制造半导体导线架之流程图。第三图A至第三图F为依照本发明之制造半导体导线架的截面图。 |
