| 主权项 |
1.一种以光阻保护晶圆对准记号之方法,包括:(a)在空白晶圆表面形成氧化层;(b)以蚀刻方式在上述晶圆表面形成第零层之对准记号;(c)在该晶圆表面涂布一层光阻;(d)以步进机将电路图案曝光于全部之晶圆表面;(e)将光阻滴在上述对准记号上;(f)除去晶圆表面曝光之光阻;(g)对去除光阻部分之晶圆表面进行蚀刻制程;(h)除去晶圆表面剩余之光阻;(i)如果有必要,重覆步骤(c)~(h)。2.如申请专利范围第1项所述之以光阻保护晶圆对准记号之方法,其中滴在对准记号表面之光阻系利用一细导管将光阻滴于其上,又该细导管系与连接于一光阻贮存器,细导管与光阻贮存器之间系利用一控制阀相连接。3.如申请专利范围第1项所述之以光阻保护晶圆对准记号之方法,其中在对准记号上滴入光阻之方法系利用任何具有对准和步进控制功能之步进机。4.一种应用于保护晶圆对准记号之光阻涂布机,包括:(a)一涂布机,包括一细导管系藉由控制阀和光阻贮存器相连接,(b)该光阻贮存器内具有光阻,(c)该细导管系呈直立状,并以垂直方向对准晶圆表面,其中该晶圆系承载于晶圆移动装置之上,(d)该晶圆移动装置具有将晶圆之对准记号垂直对准于涂布机之细导管下方,(e)该涂布机可以自动控制滴入对准记号上之光阻量,以保护对准记号避免因为蚀刻而破坏。5.如申请专利范围第4项所述之应用于保护晶圆对准记号之光阻涂布机,其中该涂布机与晶圆表面间之夹角系小于九十度。6.如申请专利范围第4项所述之应用于保护晶圆对准记号之光阻涂布机,其中该涂布机可以用人工方式将光阻涂布于该对准记号之上。7.如申请专利范围第4项所述之应用于保护晶圆对准记号之光阻涂布机,其中该光阻涂布机滴在对准记号的光阻量系足以将对准记号覆盖,且不会覆盖到具有对准记号之曝光区。8.如申请专利范围第4项所述之应用于保护晶圆对准记号之光阻涂布机,其中该晶圆移动装置可以是一晶圆步进机。图式简单说明:第一图系晶圆表面之曝光区和对准记号示意图。第二图系以光阻保护晶圆对准记号之方法流程图。第三图系应用于保护晶圆对准记号之光阻涂布机示意图。 |
