发明名称 应用于双重曝光之电子束曝光方法
摘要 一种应用于双重曝光之电子束曝光方法,用以减缓在使用一电子束对一光阻层进行双重曝光以形成一图形时所产生之过度曝光,该方法包括:将该光阻层分割为复数区块,并获得每一区块内之一图形密度值,每一图形密度值系每一相对区块内该图形所占面积与每一相对区块面积之比;决定每一区块内使用之一曝光剂量而对该光阻层进行曝光,其中该等曝光剂量之决定方法为:根据每一区块之图形密度值大小将每一区块定义为一小图形区块、一般区块或大图形区块,其中该等一般区块之图形密度值大于该等小图形区块之图形密度值而小于该等大图形区块之图形密度值;在该等一般区块中,将较小之曝光剂量给予具有较大图形密度值之区块,并且使该等一般区块之曝光剂量变化率大于该等小图形区块之曝光剂量变化率;在该等大图形区块中,将较大之曝光剂量给予具有较大图形密度值之区块。
申请公布号 TW418440 申请公布日期 2001.01.11
申请号 TW088116148 申请日期 1999.09.18
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 资三德;屈庆勋
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种应用于双重曝光之电子束曝光方法,用以减缓在使用一电子束对一光阻层进行双重曝光以形成一图形时所产生之过度曝光,该方法包括:将该光阻层分割为复数区块,并获得每一区块内之一图形密度値,每一图形密度値系每一相对区块内该图形所占面积与每一相对区块面积之比;决定每一区块内使用之一曝光剂量而对该光阻层进行曝光,其中该等曝光剂量之决定方法为:根据每一区块之图形密度値大小将每一区块定义为一小图形区块、一般区块或大圆形区块,其中该等一般区块之图形密度値大于该等小图形区块之图形密度値而小于该等大图形区块之图形密度値;在该等一般区块中,使具有较大图形密度値之区块得到较小之曝光剂量,并且使该等一般区块之曝光剂量变化率大于该等小图形区块之曝光剂量变化率;在该等大图形区块中,使具有较大图形密度値之区块得到较大之曝光剂量。2.如申请范围第1项所述之方法,其中该等小图形区块之图形密度値系介于0至0.25之间。3.如申请范围第1项所述之方法,其中该等一般图形区块之图形密度値系介于0.25至0.7之间。4.如申请范围第1项所述之方法,其中该等大图形区块之图形密度値系介于0.7至1之间。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在该等小图形区块中,使具有较大图形密度値之区块得到较小之曝光剂量,并且使该等一般区块之曝光剂量变化率大于该等小图形区块之曝光剂量变化率。图式简单说明:第一图系传统曝光剂量校正中,曝光剂量与图形密度之关系图。第二图系本发明一实施例之曝光剂量与图形密度之关系图。
地址 新竹科学工业园区园区三路一二一号