发明名称 用于铁电记忆体装置之参考电压产生电路
摘要 本发明提供一种参考电压产生电路,用于产生一稳定之参考电压,且具有一长寿命期间。该参考电压产生电路用于产生一具有多个位元线对之一铁电记忆体装置之参考电压,包含:一第及一第二参考字元线;一第一虚设块,含有多个交换电晶体及多个铁电电容器,其中该等交换电晶体之闸极皆联结至该第一参考字元线,而交换电晶体之汲极/源极则皆耦合至该位元线对之一之一位元线;一第二虚设块,含有多个交换电晶体及多个铁电电容器,其中该等交换电晶体之闸极皆联结至一第二参考字元线.而交换电晶体之汲极/源极皆联结至该位元对之一之一位元排线;及一参考板线共同联结至该二个虚设块之铁电电容器。
申请公布号 TW418393 申请公布日期 2001.01.11
申请号 TW087110242 申请日期 1998.06.25
申请人 现代电子产业股份有限公司 发明人 桂勋佑;姜佑淳
分类号 G11C11/22 主分类号 G11C11/22
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼;李明宜 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种参考电压产生电路,系用于具有多个位元线对之一铁电记忆体装置以产生一参考电压,包括:一第一及一第二参考字元线;一第一虚设块,包括多个交换电晶体及多个铁电电容器,其中该交换电晶体之闸极皆是联结至该第一参考字元线,而该交换电晶体之汲极/源极皆是联结至该位元线对之一之一位元线;一第二虚设块,包括多个交换电晶体及多个铁电电容器,其中该交换电晶体之闸极皆是联结至该第二参考字元线,而该交换电晶体之汲极/源极皆是联结至该位元对之一之一位元排练;以及一参考板线,共同联结至该二个虚设块之该铁电电容器。2.如申请专利范围第1项之参考电压产生电路,其中该第一及该第二虚设块之该每一个铁电电容器在当一负电压是用于施加至该铁电电容器作资料读出运作时,储存〝0〞资料。3.如申请专利范围第1项之参考电压产生电路,其中该第一及该第二虚设块之该每一个铁电电容器在当一正电压是用于施加至该铁电电容器作资料读出运作时,储存“1"资料。4.如申请专利范围第1项之参考电压产生电路,其中该位元线对在当一负电压是用于施加至该铁电电容器作资料读出动作时,是预充电至一接地准位。5.如申请专利范围第1项之参考电压产生电路,其中该位元线对在当一正电压是用于施加至该铁电电容器作资料读出运作时,是预充电至一电源电压准位。6.如申请专利范围第1项之参考电压产生电路,其中该参考板线在当一负电压是用于施加至该铁电电容器作资料读出运作时,是驱动至一电源电压准位。7.如申请专利范围第1项之参考电压产生电路,其中该参考板线在当一正电压是用于施加至该铁电电容器作资料读出运作时,是驱动至一接地准位。8.如申请专利范围第1项之参考电压产生电路,其中该第一或该第二虚设块之该铁电电容器之数目是由在一参考电压准位与该铁电电容器之一产生之一电压准位间之差异所决定。图式简单说明:第一图是显示在一电压V与铁电电容器所感应之电荷Q间之关系图;第二图是一非疲劳铁电电容器及一疲劳铁电电容器之磁滞曲线图;第三图是一使用为一资料储存设置之一铁电电容器之磁滞曲线图;第四图是一包含一习知参考电压产生电路之习知铁电记忆体装置之一部份之电路图;第五图是显示当一负电压施加至根据本发明之一铁电电容器时,一参考电压之产生机构之图;第六图是显示当一正电压施加至根据本发明之一铁电电容器时,一参考电压之产生机构之图;第七图是一包含根据本发明之一参考电压产生电路之铁电记忆体装置之一部份之电路图;以及第八图是第七图之铁电记忆体装置之运作之时序图。
地址 韩国