| 主权项 |
1.一种脊状光波导半导体发光元件之制作方法,包括下列步骤:(i)在一第一型半导体基板上形成依序第一型磊晶层与至少一第二型磊晶层,并使上述第二型磊晶层形成为脊状光波导;(ii)然后在其上形成具有重载子浓度的第一型半导体;(iii)再于上述重载子浓度的第一型半导体上形成金属层。2.如申请专利范围第1项之制作方法,其中,上述脊状光波导的外侧载子浓度高于其内部之载子浓度。3.如申请专利范围第1项之制作方法,其中,在上述第一型磊晶层与第二型磊晶层间形成有发光活性层。4.如申请专利范围第1项之制作方法,其中,上述第一型磊晶层系系包括一束缚层及夹覆层。5.如申请专利范围第1项之制作方法,其中,上述第二型磊晶层系包括束缚层、夹覆层、转移层及覆盖层。6.如申请专利范围第1项之制作方法,其中,上述第一型为n型,且上述第二型为p型。7.如申请专利范围第1项之制作方法,其中,上述第一型为p型,且上述第二型为n型。8.如申请专利范围第6项之制作方法,其中,上述重载子浓度的半导体为氧化物半导体。9.如申请专利范围第7项之制作方法,其中,上述重载子浓度的半导体为氧化物半导体。10.如申请专利范围第8项或第9项之制作方法,其中,上述重载子浓度氧化物半导体为单一氧化物层。11.如申请专利范围第8项或第9项之制作方法,其中,上述重载子浓度氧化物半导体为复数层。12.如申请专利范围第8项或第9项之制作方法,其中,上述重载子浓度氧化物半导体为复数种混合之氧化物半导体。13.如申请专利范围第8项或第9项之制作方法,其中,在上述重载子浓度氧化物半导体与金属层间可再加入与第一层重载子浓度氧化物半导体同型之其他非氧化物的半导体层。14.如申请专利范围第8项之制作方法,其中,上述氧化物半导体为ZnO、SnO2.In2O3.Tl2O3.CdO、TiO2.PbO或PbO2等,及其混合形成之化合物或固溶体。15.如申请专利范围第14项之制作方法,其中,上述氧化物半导体可添加杂质元素以增加与稳定电子浓度。16.如申请专利范围第9项之制作方法,其中,上述氧化物半导体为NiO、CoO、MnO、FeO、Fe2O3.CrO、Cr2O3.CrO2.PdO、CuO、Cu2O、SnO或Ag2O等,及其混合形成的化合物或固溶体,及CuAlO2或SrCu2O2等。17.如申请专利范围第16项之制作方法,其中,上述氧化物半导体可添加杂质元素以增加与稳定电洞浓度。18.如申请专利范围第8项之制作方法,其中,上述氧化物半导体为铟锡氧化物。19.如申请专利范围第8项之制作方法,其中,上述氧化物半导体为添加Ga、In、Al或Ce等之氧化锌。20.如申请专利范围第1项之制作方法,其中,上述脊状光波导半导体发光元件为雷射二极体或发光二极体。21.如申请专利范围第1项之制作方法,其中,在上述步骤(ii)中可形成一个或复数个脊状光波导。22.如申请专利范围第1项之制作方法,其中,上述金属层可为单一金属层或多层金属层或合金层。23.如申请专利范围第13项之制作方法,其中,上述非氧化物之半导体为Si、Ge、GaAs、InP、GaP、ZnS、CdTe、PbS或ZnSe等。图式简单说明:第一图a至第一图m系绘示习知技艺中利用自动对准法制作雷射二极体之脊部面电极的流程图。第二图a至第二图g系绘示根据本发明的脊状光波导半导体发光元件之制作方法的流程图。第三图系绘示对根据本发明的脊状光波导半导体发光元件之制作方法应用铟锡氧化物制作的脊状光波导半导体雷射之I-V与I-L分析的曲线图。 |
