| 主权项 |
1.一种藉由半导体晶片缺陷型态来测量良率折损晶片的数目及不良晶片数之方法,包括步骤为(a)利用一缺陷检验设备经一预定程序在一晶圆上检查有效晶片中之缺陷晶片并在一第一晶圆地图上绘制该已检查的缺陷晶片;(b)藉在该第一晶圆地图上配对缺陷晶片和与该缺陷晶片相邻的非缺陷晶片来形成不对等晶片并决定由该不对等晶片所在区域形成的一最大可信赖区;(c)在完成该程序后使用一良率测量仪在一第二晶圆地图上依型态绘制良好晶片及不良晶片;以及(d)在对应于在该第一晶圆地图上的该最大可信赖区之该缺陷晶片和该非缺陷晶片之第二晶圆地图上依型态分类良好晶片及不良晶片的数目。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,在步骤(b)中,藉在一晶圆地图上接续地找寻缺陷晶片及藉结合找寻在不是形成于非缺陷晶片正上、下、左及右方之对等晶片的非缺陷晶片间之缺陷晶片以及在该找寻的缺陷晶片间不与邻近的非缺陷晶片相邻的缺陷晶片自该最大可信赖区被排除。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(d)包括步骤:(d1)与在第一晶圆地图上之最大可信赖区的缺陷晶片和非缺陷晶片一致,分类在第二晶圆地图上的良好晶片与不良晶片数;(d2)得到不良晶片的产生率和依型态对缺陷晶片的次级产生率和良好晶片的产生率和依型态对以在步骤(d1)中分类的型态之良好晶片与不良晶片数为基础的非缺陷晶片之次级产生率。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中基于该不良晶片的产生率和依型态对该缺陷晶片的次级产生率和该良好晶片的产生率和依型态对该非缺陷晶片的次级产生率,该步骤(d)更进一步包括根据一当前等级,一最佳等级,及一最差等级与依型态该不良晶片的总数得到该良率折损总合之步骤(d3)。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该步骤(d)更进一步包括得到良率折损晶片数,良率折损晶片最大数目,和良率折损晶片最大数目对良率折损晶片数的比値以及其上依型态产生次级的晶片数,其上可以产生次级的最大晶片数,和其上可以产生次级的最大晶片数对其上依型态产生次级的晶片数的比値之步骤(d4)。6.一包括程式命令的电脑可读取媒介用来藉由半导体晶片缺陷型态来测量良率折损晶片的数目及不良晶片数,该电脑可读取媒介包括:(a)一电脑可读取码用来在经历一预定过程的晶圆上之有效晶片间从一缺陷检验设备在缺陷晶片及非缺陷晶片上输入数値而且在一第一晶圆地图的缺陷晶片及非缺陷晶片上绘制该输入数値;(b)一电脑可读取码用来藉在该第一晶圆地图上配对缺陷晶片和与该缺陷晶片相邻的非缺陷晶片来形成不对等晶片并决定由该不对等晶片所在区域组成的一最大可信赖区;(c)一电脑可读取码用来自一良率测量仪依型态在良好晶片及不良晶片上输入数値而且在一第二晶圆地图的良好晶片及不良晶片上绘制该输入数値;以及(d)一电脑可读取码用来在对应于在该第一晶圆地图上的该最大可信赖区之缺陷晶片和非缺陷晶片之第二晶圆地图上依型态分类良好晶片及不良晶片的数目而且对于依型态之该良率折损及该不良晶片数安排该统计量。图式简单说明:第一图系根据本发明显示一晶圆地图其上使用一缺陷检验设备有效晶片间的缺陷晶片被绘制在一晶圆上;第二图系根据本发明显示一晶圆地图其上基于一缺陷晶片图形成不对等晶片;第三图系根据本发明解释组成不对等晶片的方法;第四图系根据本发明显示一晶圆地图其上显示藉配合不对等晶片而确定的一最大可信赖区;第五图系根据本发明显示一晶圆地图其上使用一良率测量仪在一晶圆上的有效晶片被分类成良好晶片及不良晶片;以及第六图系根据本发明显示一晶圆地图其上依型态之良好晶片及不良晶片在最大可信赖区域上。 |
