| 主权项 |
1.一种在高密度低压电浆蚀刻中移去蚀刻副产物的方法,包括的步骤有:使用高密度低压电浆来乾式蚀刻晶圆;以及使用一种气体来乾式清洁乾式蚀刻所产生的产物,每当每一晶圆完成乾式蚀刻就进行乾式清洁。2.如申请专利范围第1项的方法,其中于SiO2膜上进行乾式蚀刻。3.如申请专利范围第1项的方法,其中于金属上进行乾式蚀刻。4.如申请专利范围第2项的方法,其中乾式蚀刻当中使用富含碳的气体做为蚀刻气体。5.如申请专利范围第4项的方法,其中该富含碳的气体为氟碳(CxFy)气体。6.如申请专利范围第2项的方法,其中乾式清洁的气体为Ar/O2气体。7.如申请专利范围第3项的方法,其中乾式清洁的气体为SF6或O2气体。8.一种在高密度低压电浆蚀刻中移去蚀刻副产物的方法,包括的步骤有:引入一具有预定结构的晶圆到一高密度电浆蚀刻装置的反应室中,其中为了蚀刻所施加的来源功率与施加到晶圆的电源是分开的。乾式蚀刻晶圆;以及乾式清洁反应室,每当每一晶圆完成乾式蚀刻就进行乾式清洁。9.如申请专利范围第8项的方法,其中于SiO2膜上进行乾式蚀刻。10.如申请专利范围第8项的方法,其中于金属上进行乾式蚀刻。11.如申请专利范围第9项的方法,其中乾式蚀刻当中使用富含碳的气体做为蚀刻气体。12.如申请专利范围第11项的方法,其中该富含碳的气体为氟碳(CxFy)气体。13.如申请专利范围第9项的方法,其中乾式清洁的气体为Ar/O2气体。14.如申请专利范围第10项的方法,其中乾式清洁的气体为SF6或O2气体。图式简单说明:第一图A与第一图B分别为本发明所使用的MERIE(Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching,磁增强反应离子蚀刻)与ICPE之实验仪器装置的截面图示;第二图A为蚀刻SiO2当中产生的颗粒之SEM(ScanningElectron Microscopy, 扫瞄式电子显微镜)照片,而第二图B则为颗粒的化学成份之EDS(Energy DispersiveSpectroscopy, 能量分散光谱)图形;第三图为MERIE中颗粒大小与数量随着蚀刻时间的变化图;第四图为ICPE中颗粒大小与数量随着蚀刻时间的变化图;第五图为MERIE中颗粒大小与数量随着蚀刻循环周期的变化图;第六图为ICPE中颗粒数量随着蚀刻循环周期的变化图;第七图为Ar/O2乾式清洁程序中,针对蚀刻次数的离子质谱;第八图为以四极质谱(Quadrupole Mass Spectrometry, QMS)量测,在乾式清洁程序中O离子的质谱;第九图A与第九图Bar/O2乾式清洁中,以QMS量测自由基的质谱;第十图为在C2F6蚀刻3分钟、6分钟和10分钟后的Ar/O2乾俴清洁中,来自C2物种之光学发射的变化图;第十一图根据本发明之比较例来进行ICPE的情形下,来源功率的衰减和金属沉积材料厚度的关系图;以及第十二图为根据本发明之比较例来进行表面波电浆蚀刻(Surface Wave Plasma Etching, SWPE)的情形下,产生的颗粒数目和蚀刻时间的关系图。 |
