去除氮化矽保护层孔隙之方法

摘要

本发明利用一前处理去除内连线上之有机金属，反应气体为NH3以及N2○，制程之气压约为2.5torrs，电浆之功率约为100 watts，极板间距约为450 mils，气体NH3以及N2Ｏ之流量分别为100 sccm以及1600 sccm，一薄的氧化层接着形成于上述之内连线之上，制程之气压约为2.5 torrs，沈积之功率约为240 watts于射频之范围，极板间距约为430 mils，反应气体N2Ｏ之流量为1600 sccm，反应气体SiH4为90 sccm，氮化矽层以化学气相沈积法形成于氧化层之上做为保护层，制程之气压约为3.35 torrs，沈积之功率约为760 watts，极板间距约为650 mils，反应气体为SiH4与NH3，气体NH3以及SiH4之流量分别为80 sccm以及270 sccm，利用本制程之制程参数将会有效地消除保护层中之孔隙(pin holes)。

主权项

1.一种形成保护层于半导体晶圆上之方法,该晶圆具有一介电层形成于其上做为绝缘层,该方法至少包含:形成一导电层于该介电层之上;形成一光阻于导电层之上以定义内连线之图案;以该光阻做为蚀刻之罩幕蚀刻该导电层以形成内连线;以电浆施以前处理制程去除该内连线表面上之有机金属,反应气体为NH3以及N2O;形成一氧化层于该内连线以及该介电层之上层做为缓冲层;及形成氮化矽层于该氧化层之上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之前制程压力约为2.5torrs。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之前制程之制程功率约为100watts。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之前制程之反应气体N2O流量约为1600sccm。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之前制程之反应气体NH3流量约为100sccm。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之前制程之susceptor spacing约为450mils。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氧化层以化学气相沈积法形成,反应气体为N2O与SiH4。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之反应气体N2O流量约为1600sccm。9.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之反应气体SiH4流量约为90sccm。10.如申请专利范围第7项之方法,其中形成上述氧化层上制程功率约为240watts。11.如申请专利范围第7项之方法,其中形成上述氧化层之susceptor spacing约为430mils。12.如申请专利范围第7项之方法,其中形式上述氧化层之制程压力约为2.5torrs。13.如申请专利范围第7项之方法,其中形成上述氧化层之制程温度约为200至400℃。14.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮化矽层可以利用电浆增强式化学气相沈积法以及高密度电浆化学气相沈积法形成。15.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之反应气体为SiH4与NH3。16.如申请专利范围第15项之方法,其中上述之反应气体SiH4流量约为270sccm。17.如申请专利范围第15项之方法,其中上述之反应气体NH3流量约为80sccm。18.如申请专利范围第14项之方法,其中形成上述氮化矽层之制程功率约为760watts。19.如申请专利范围第14项之方法,其中形成上述氮化矽层之susceptor spacing约为650mils。21.如申请专利范围第14项之方法,其中形成上述氮化矽层之制程温度约为200至400℃。22.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之导电层为铝金属。23.如申请专利范围第22项之方法,其中形成上述之氧化层之前更包含施以热处理制程。图式简单说明:第一图为本发明制程中形成金属层之截面图。第二图为本发明制程中施以前处理制程之截面图。第三图为本发明制程中形成氧化矽于金属层上之截面图。第四图为本发明制程中形成保护层于氧化层上之截面图。