| 主权项 |
1.一种蚀刻形成于半导体基材上之金属薄膜之方法,其中该金属薄膜系由一种藉由使用感应偶合式螺旋共振腔所形成的电浆之蚀刻制程予以蚀刻。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属薄膜为A1薄膜。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该A1薄膜为包含0.8至1.2百分比的矽和0.4至0.6百分比的铜者。4.如申请专利范围第2项之方法,其中该A1薄膜为包含0.8至1.2百分比的矽者。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属薄膜为包含A1膜之多层型金属薄膜。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该多层型金属薄膜为具有按序形成的Ti膜,A1膜和TiN膜者。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻制程使用一种混合有BCl3气体和Cl2气体的蚀刻气体。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该BCl3系以低于100cc/min之速率被供应,且该Cl2系以30至100cc/min之速率被供应。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻制程使用Cl2气体作为蚀刻气体。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻制程使用N2气体作为辅助气体。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该N2气体系以5至30cc/min之速率被供应。12.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻制程系于3至15mTorr之压力下被进行。13.如申请专利范围第1项之方法,其中在该蚀刻制程中被施加于腔体之上端电极的电力为700至3500W。14.如申请专利范围第1项之方法,其中在该蚀刻制程中被施加于腔体之下端电极的电力为低于500W。15.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻制程系于30至50℃之温度下被进行。16.一种蚀刻形成于半导体基材上之金属薄膜之方法,其包含之步骤有:a)形成一蚀刻幕罩于该金属薄膜上;b)依据某图样而去除该蚀刻幕罩之一部分;以及c)藉由使用感应偶合式螺旋共振腔所形成的电浆来蚀刻该金属薄膜,该金属薄膜藉由该蚀刻幕罩之一部份的去除而被暴露。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该金属薄膜为Al薄膜。18.如申请专利范围第16项之方法,其中该蚀刻制程之进行系在40℃之温度与5 mTorr之压力下,并使用800W电力施加于腔体的上端电极和120W电力施加于腔体的下端电极,且有BCl3气体和Cl2气体以80cc/min之速率来的供应。图式简单说明:第一图显示具螺旋共振腔的腔体,其用于依据本发明的半导体元件之金属薄膜的蚀刻制程;以及第二图为一横截面图用于显示依据本发明之半导体元件的金属薄膜之蚀刻制程。 |
