| 主权项 |
1.一种半导体元件(20)用接触器(10A),此种接触器(10A)系包含:一底座单元(12A),其可用以紧固一设有多数端子(21)之半导体元件(20);和一布线基质(11A),其在与至少某些端子(21)相对应之位置处,系设有一些接触电极(14),当上述布线基质(11A)紧固在其底座单元(12A)时,彼等接触电极(14)和端子(21),系形成电气之连接,上述接触器(10A)在特性上尚包含:一位置保持力施加机构(17),其可在该等底座单元(12A)与布线基质(11A)间,施加一位置保持力;和一接触压力施加机构(16),其可在该等半导体元件(20)与布线基质(11A)间,施加一接触压力,其中,彼等位置保持力施加机构(17)和接触压力施加机构(16),系可在独立之方式下运作。2.如申请专利范围第1项所申请之接触器(10A),其特性在于该布线基质(11A),至少系在彼等接触电极(14)与端子(21)相连接之连接区域(18)处,具有挠曲性。3.如申请专利范围第1项所申请之接触器(10A),其特性在于该接触压力施加机构(16)包含:一设置在上述底座单元(12A)上面之第一封合构件(24),其位置系环绕在上述安装在该底座单元(12A)上面之半导体元件(20)的四周,当上述布线基质(11A)置于该底座单元(12A)上面时,该第一封合构件(24),系与上述之布线基质(11A),形成气密之接触;以及一第一吸气管(26),其在该第一封合构件(24)与该半导体元件(20)之一安装位置间,系具有一开口端,以及藉着一吸气程序之实行,此第一吸气管(26)可用以在该等底座单元(12A)、布线基质(11A)、和第一封合构件(24)所包围之第一闭合区(31)内,施加一负压力,上述第一吸气管(26)所施加之负压力,系作为该等半导体元件(20)与布线基质(11A)间之接触压力。4.如申请专利范围第1项所申请之接触器(10E),其特性在于该接触压力施加机构(16),系一设置在其安装在底座单元(12A)上面之半导体元件(20)下方的昇高机构(38),其可使该半导体元件(20),相对于该布线基质(11B),做向下和向上之和移动。5.如申请专利范围第1项所申请之接触器(10A),其特性在于该位置保持力施加机构(17),系设置在一不在上述连接区域(18)之处,该位置保持力施加机构(17)包含:一设置在上述底座单元(12A)上面之第二封合构件(25),其位置系环绕在上述第一封合构件(24)之四周,当上述布线基质(11A)置于该底座单元(12A)上面时,该第二封合构件(25),系与上述之布线基质(11A),形成气密之接触;以及一第二吸气管(27),其在该等第一封合构件(24)与第二封合构件(25)之间,系具有一开口端,以及藉着一吸气程序之实行,此第二吸气管(27),可用以在该等底座单元(12A)、布线基质(11A)、第一封合构件(24)、和第二封合构件(25)所包围之第二闭合区(32)内,施加一负压力,上述第二吸气管(27)所施加之负压力,系作为该等布线基质(11A)与底座单元(12A)间之位置保持力。6.如申请专利范围第1项所申请之接触器(10G),其特性在于该底座单元(12F),系设有一温度施加机构(51)、一热吸收机构(51)、和一温度侦测机构(51)中的一个。7.如申请专利范围第1项所申请之接触器(10H),其特性在于该底座单元(12G),系设有一可强迫使上述半导体元件(20),紧固在该底座单元(12G)上面之紧固机构(53)。8.如申请专利范围第1项所申请之接触器(10A),其特性在于该布线基质(11B)具有:一可容许与该半导体元件(20)连接之连接表面;和一在其连接表面相对侧之对立表面,以及该布线基质(11B)在其对立表面上面,系设有一具有突体和内凹之背托板(39B)。9.一种测试装置(60),其在特性上包含:一可供半导体元件(20)使用之接触器(10B);和一可容纳上述接触器(10B)之空室(61),此空室(61)在构造上,可使其内部大气压为某一正压力,上述之接触器(10B)系包含:一底座单元(12A),其可用以紧固一设有多数端子(21)之半导体元件(20);和一布线基质(11B),其在与至少某些端子(21)相对应之位置处,系设有一些接触电极(14)。当上述布线基质(11B)紧固在其底座单元(12A)时,彼等接触电极(14)和端子(21),系形成电气之连接。上述接触器尚包含:一位置保持力施加机构(17),其可在该等底座单元(12A)与布线基质(11B)间,施加一位置保持力;和一接触压力施加机构(16),其可在该等半导体元件(20)与布线基质(11B)间,施加一接触压力,其中,彼等位置保持力施加机构(17)和接触压力施加机构(16),系可在独立之方式下运作。10.如申请专利范围第9项所申请之测试装置(60),其特性在于该该接触压力施加机构(16)包含:一设置在上述底座单元(12A)上面之第一封合构件(24),其位置系环绕在上述安装在该底座单元(12A)上面之半导体元件(20)的四周,当上述布线基质(11B)置于该底座单元(12A)上面时,该第一封合构件(24),系与上述之布线基质(11B),形成气密之接触;以及一第一吸气管(26),其在该等第一封合构件(24)与半导体元件(20)之一安装位置间,系具有一开口端,以及藉着一吸气程序之实行,此第一吸气管(26),可用以在该等底座单元(12A)、布线基质(11B)、和第一封合构件(24)所包围之第一闭合区(31)内,施加一负压力,上述第一吸气管(26)所施加之负压力,系作为该等半导体元件(20)与布线基质(11B)间之接触压力。11.一种使用一半导体元件(20)用接触器(10B)来测试一半导体元件(20)之方法,该接触器(10B)系包含:一底座单元(12A),其可用以紧固一设有多数端子(21)之半导体元件(20);和一布线基质(11B),其在与至少某些端子(21)相对应之位置处,系设有一些接触电极(14)。当上述布线基质(11B)紧固在其底座单元(12A)时,彼等接触电极(14)和端子(21),系形成电气之连接。上述接触器(10B)尚包含:一位置保持力施加机构(17),其可在该等底座单元(12A)与布线基质(11B)间,施加一位置保持力;和一接触压力施加机构(16),其可在该等半导体元件(20)与布线基质(11B)间,施加一接触压力,其中,彼等位置保持力施加机构(17)和接触压力施加机构(16),系可在独立之方式下运作,上述测试方法在特性上包含之步骤有:a)藉着辨识彼等端子(21)和接触电极(14)之位置,以及接着计算彼等端子(21)和接触电极(14)之位置间的填补値,来计算一位置修正値;b)依据上述之位置修正値,使彼等布线基质(11B)与底座单元(12A)定位;c)在步骤b)后,驱动上述用以在该等布线基质(11B)与底座单元(12A)间施加位置紧固力之位置保持力施加机构(17);d)驱动上述用以在该等布线基质(11B)与半导体元件(20)间施加接触压力之接触压力施加机构(16);以及e)测试上述之半导体元件(20)。图式简单说明:第一图系一可显示相关技艺之接触器的横截面图;第二图A至第二图C系一可显示本发明第一实施例之接触器、沿第三图中之线I-I所截成之横截面图;第三图系一可显示一构成本发明第一实施例之接触器的底座单元的平面图;第四图A和第四图B系可显示本发明第二实施例之接触器的横截面图;第五图系一可显示本发明第三实施例之接触器的横截面图;第六图系一可显示本发明第四实施例之接触器的横截面图;第七图A和第七图B系可显示本发明第五实施例之接触器的横截面图;第八图A和第八图B分别系可显示本发明第六实施例之接触器的平面图和横截面图;第九图A和第九图B系可显示本发明第七实施例之接触器的横截面图;第十图系一可显示本发明第八实施例之接触器的横截面图;第十一图系一可显示本发明第九实施例之接触器的横截面图;第十二图A和第十二图B系可显示本发明第十实施例之接触器的横截面图;第十三图系一可显示本发明第十一实施例之接触器的横截面图;第十四图系一可显示本发明第十二实施例之接触器的横截面图;第十五图系一可显示本发明第十三实施例之接触器的横截面图;第十六图系一可显示本发明第十四实施例之接触器的横截面图;第十七图系一可显示本发明第十五实施例之接触器的横截面图;第十八图系一可显示本发明第十六实施例之接触器的横截面图;第十九图系一可显示本发明之一测试装置实施例之横截面图;此测试装置系利用一接触器;第二十图系一可显示一利用本发明第一实施例之接触器的测试装置的横截面图;第二十一图系一可显示一利用本发明第二实施例之接触器的测试装置的横截面图;而第二十二图则系本发明一实施例之半导体元件接触器的清洁方法。 |
