| 主权项 |
1.一种记忆体单胞配置,其特征为: -设置多条基本上互相平行而延伸之字线以及多条 基本上互相平行而延伸之位元线,其中字线是垂直 于位元线而延伸。 -记忆体元件设有一种层结构(其具有磁阻效应),这 些记忆体元件分别配置在一条字线和一条位元线 之间, -记忆体元件配置在至少二个位置中,此二个位置 互相重叠。2.如申请专利范围第1项之记忆体单胞 配置,其中 -记忆体元件具有二层强磁性层以及一层配置于其 间之非磁性层; 记忆体元件具有二种磁化状态。3.如申请专利范 围第2项之记忆体单胞配置,其中 -强磁性层具有元素Fe,Ni,Co,Cr,Mn,Gd,Dy中至少一种元 素, -强磁性层之厚度小于或等于20nm。 -非强磁性层含有材料Al2O3,NiO,HfO2,TiO2,NbO,SiO2中至 少一种材料,且其厚度是在1和4nm之范围中。4.如申 请专利范围第2或3项之记忆体单胞配置,其中设有 一层反(anti)强磁性层,其是与强磁性层中之一层相 邻且可决定此相邻之强磁性层中之磁化方向。5. 如申请专利范围第4项之记忆体单胞配置,其中反 强磁性层具有元素Fe,Mn,Ni,Ir,Tb和0中至少一种元素 。6.如申请专利范围第1或第2项之记忆体单胞配置 ,其中记忆体元件在由字线和位元线所构成之平面 中所具有之尺寸是在0.5m和20m之范围中。7.如 申请专利范围第1或第2项之记忆体单胞配置,其中 -记忆体元件所具有之欧姆値较位元线和字线者还 大且这些记忆体元件分别连接在一条字线和一条 位元线之间。 -位元线是与读取放大器相连接,各条位元线上之 电位可藉由读取放大器而调整至一参考电位且可 在读取放大器上测得一种输出信号。8.如申请专 利范围第7项之记忆体单胞配置,其中读取放大器 具有一个回授式运算放大器。9.如申请专利范围 第7项之记忆体单胞配置,其中在记忆体元件之每 一位置中字线之数目是较位元线之数目还还大。 10.如申请专利范围第8项之记忆体单胞配置,其中 在记忆体元件之每一位置中字线之数目是较位元 线之数目还还大。图式简单说明: 第一图系一种具有所属位元线和字线之记忆体元 件。 第二图系记忆体单胞配置(其具有多个含有记忆体 元件之位置)之切面图。 第三图系记忆体单胞配置之结构。 |
