| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine nichtflüchtige Halbleiter-Speicherzelle mit separatem Tunnelfenster und ein dazugehöriges Herstellungsverfahren. Durch Ausbilden einer komplexen Struktur eines aktiven Bereichs (AA) und einer im wesentlichen streifenförmigen Struktur einer Schichtenfolge bestehend aus einer Steuerschicht (CG) und einer Floating-Gate-Schicht (FG) erhält man eine Speicherzelle mit verringertem Flächenbedarf und verbesserter Endurance bei vereinfachter Herstellung.</p> |
