发明名称 |
INSULATION OF GATE ELECTRODES AND PRODUCTION METHOD |
摘要 |
An den Flanken einer Gate-Elektrode (2) werden Oxidspacer (5) hergestellt, die so unterhalb der Oberseite der Gate-Elektrode enden, dass ein Anteil (11) der Flanke nicht bedeckt wird. Eine Nitridschicht wird abgeschieden und rückgeätzt, so dass weitere Spacer (8) aus Nitrid bleiben, die diese oberen Anteile (11) der Flanken der Gate-Elektrode bedecken. Damit wird eine ausreichende Blockierwirkung zur Vermeidung von Silizidbrücken zwischen Gate und Source bzw. Drain bewirkt.
|
申请公布号 |
WO0103200(A1) |
申请公布日期 |
2001.01.11 |
申请号 |
WO2000DE02101 |
申请日期 |
2000.06.28 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;WURZER, HELMUT;SCHIML, THOMAS |
发明人 |
WURZER, HELMUT;SCHIML, THOMAS |
分类号 |
H01L21/336;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|