| 发明名称 |
Method of forming silicon oxide layer and method of manufacturing thin film transistor thereby |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2343197(B) |
申请公布日期 |
2001.01.10 |
| 申请号 |
GB19990025564 |
申请日期 |
1999.10.28 |
| 申请人 |
* LG. PHILIPS LCD CO., LTD. |
发明人 |
KWANG NAM * KIM;GEE SUNG * CHAE |
| 分类号 |
H01L21/31;C23C16/40;C23C16/509;H01J37/32;H01L21/316;H01L21/336;H01L29/786;(IPC1-7):C23C16/50 |
主分类号 |
H01L21/31 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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