半导体陶瓷电容器的基片生产工艺

摘要

半导体陶瓷电容器的基片生产工艺,涉及一种半导体陶瓷电容器基片的生产工艺,主要通过排胶、烧成,混合气氛中半导化处理等步骤烧制而成,本发明因采用氨分解的混合气氛条件下,在组合炉内连续自动化进行半导化处理,适合大规模生产的要求,它与国外目前普遍采用在纯H₂、纯N₂的混合气氛条件下,在间歇式钟罩电炉或者虽在传送式气氛炉内进行半导化处理,无疑是技术上的一大进步。

主权项

1．半导体陶瓷电容器的基片生产工艺，包括表面型半导体电容 器基片生产工艺品流程为：将配合好的坯料经搅拌机辗轧机进行捏 合、辗轧后，在冰冻条件下处理，然后，再经过辗轧机进行辗轧，辗轧完 毕后，在挤膜机上挤出带状膜片，带状膜片经过冲膜机后，冲击所需直 径的膜片，进行混粉工序后，装入钵体内，由传送带送入排胶、烧成炉 内进行排胶、烧成过程，经过该工序后，再由传送带送入混合气氛状况 下的半导化处理炉中进行再氧化处理，经过此工序后，坯料则变成半导 体陶瓷基片成品；晶粒边界型半导体电容器基片生产工艺流程为：将 配合好的坯料经搅拌机、辗轧机进行捏合、辗压后，在冰冻条件下 处理，然后，再经辗轧机进行辗轧，辗轧完毕后，在挤膜机上挤出 带状膜片，带状膜片经冲膜机后，冲出所需直径的膜片，进行混粉 工序后，装入钵体内，由传送带送入排胶炉内进行排胶过程，经过 该工序后，再由传送带送入混合气氛状况下的烧成及半导化处理炉 中进行晶粒表面金属氧化膜形成的处理，经过此工序后，坯料则变 成半导体陶瓷基片成品，其特征在于： a、表面型半导体基片的排胶、烧成的生产工艺为： 排胶区：炉温从室温升至于1200℃至1400℃，基片在炉体内的 移动距离为5．4米，时速为每小时0．3至0．6米； 烧成区：炉温恒定于1200℃至1400℃，基片在炉体内移动的距离 为1．4米，时速为每小时0．3米至0．6米； 降温区：炉温从1200℃至1400℃降至200℃至300℃，基片在炉体 内移动距离为2．2米，时速为每小时0．3米至0．6米； b、晶粒边界型基片的排胶生产工艺为： 升温区：炉温从室温升至1000℃至1200℃，基片在炉体内移动的 距离为5．65米，时速为每小时0．4米至0．6米； 排胶区：炉温恒定于1000℃至1200℃，基片在炉体内移动1米，时 速为每小时0．4米至0．6米； 降温区：炉温从10000℃至1200℃降至200℃至300℃，基片在炉体 内移动2．35米，时速为每小时0．4米至0．6米； c．表面型半导体基片的半导化生产工艺为： 加温区：炉温从200℃升至400℃，基片在炉体内的移动距离为3．2 米，时速为每小时0．3米至0．6米； 升温区：炉温从400℃升至900℃至1200℃，基片在炉体内移动 距离为2．8米，时速为每小时0．3米至0．6米； 半导化处理区：炉温恒定于900℃至1200℃，基片在炉体内移动距 离为0．8米，时速为每小时0．3米至0．6米； 降温区：炉温从900℃至1200℃降至200℃，基片在炉体内移动距 离为2．2米，时速为每小时0．3米至0．6米； d．晶粒边界型基片的半导化生产工艺为： 加温区：炉温从200℃升至400℃，基片在炉体内移动的距离为3 米，时速为0．4米至0．6米； 升温区：炉温从400℃升至1300℃至1500℃，基片在炉体内移动 的距离为2．5米，时速为每小时0．4米至0．6米； 烧成及半导化处理区：炉温恒定于1300℃至1500℃，基片在炉体 内移动的距离为1．5米，时速为每小时0．4米至0．6米， 降温区：炉温从1300℃至1500℃降至200℃，基片在炉体内移动 的距离为2米，时速为每小时0．4米至0．6米。