| 发明名称 | 软磁薄膜和设有该软磁薄膜的磁头 | ||
| 摘要 | 一种在高饱和磁通密度、软磁特性和耐蚀性方面优良的软磁薄膜。该软磁薄膜用一种由组分分子式Fe<SUB>a</SUB>Si<SUB>b</SUB>Ta<SUB>c</SUB>Ru<SUB>d</SUB>Ga<SUB>e</SUB>N<SUB>f</SUB>(其中a、b、c、d、e及f的每一个是一个指示相应元素的at%的值)表示的材料制成,其中组分范围如下:62at%<a<75at%,,7at%<b<18at%,3at%<c<10 at%,0at%≤d<10at%,0 at%≤e<6 at%,5 at%<f<12at%,及b+c>13 at%,其中at%表示原子百分数。 | ||
| 申请公布号 | CN1279463A | 申请公布日期 | 2001.01.10 |
| 申请号 | CN00119337.6 | 申请日期 | 2000.06.28 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 井上喜彦;本多顺一;德竹房重;铃木笃 |
| 分类号 | G11B5/31;H01F1/14 | 主分类号 | G11B5/31 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 权 利 要 求 书1．一种软磁薄膜，包括：一种由组分分子式FeaSibTacRudGaeNf(其中a、b、c、d、e及f的每一个是一个指示相应元素的原子百分数的值)表示的材料，其中组分范围如下：62原子百分数＜a＜75原子百分数7原子百分数＜b＜18原子百分数3原子百分数＜c＜10原子百分数0原子百分数≤d＜10原子百分数0原子百分数≤e＜6原子百分数5原子百分数＜f＜12原子百分数，及b＋c＞13原子百分数。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||