冷阴极电子发射表面层结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种场致电子发射表面层结构及其制造方法。在布满腐蚀坑的衬底硅(111)面上沉积上一层非连续的、呈分立岛形状的金刚石颗粒表面层,构成阈值电压低的冷阴极电子发射表面层结构。由于该表面层结构具有优良的场致特性,适用于各种面积(包括12英寸以上大面积)的硅表面。因此适合于制作平板显示器所需的大面积冷阴极电子源上的应用。

主权项

1．一种冷阴极电子发射表面层结构，其特征是在布满腐蚀坑的衬底硅(111)面上覆盖一层非连续的、呈分立岛形状的金刚石颗粒表面层，腐蚀坑半径小于0．5微米，坑的边缘由层状的表面层组成，表面层的边缘有大小尺寸为几十纳米的尖状物。