| 发明名称 | 多层基板 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种没有因热疲劳引起的连接部分的破坏的多层基板。本发明的多层基板1中,交替地层叠了聚酰亚胺膜11～16与铜膜21～26。通过使聚酰亚胺膜11～16的热膨胀系数为2～5ppm/℃,可使多层基板1整体的热膨胀系数不到10ppm/℃。由于接近于所安装的半导体元件的热膨胀系数,故与半导体元件的连接部分不受到破坏。可将本发明的多层基板1用作插入板或母板。 | ||
| 申请公布号 | CN1279157A | 申请公布日期 | 2001.01.10 |
| 申请号 | CN00118480.6 | 申请日期 | 2000.06.28 |
| 申请人 | 索尼化学株式会社 | 发明人 | 栗田英之;中村雅之 |
| 分类号 | B32B15/08;H05K1/03 | 主分类号 | B32B15/08 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
| 主权项 | 1．一种交替地层叠多层树脂层与导电层而被构成的多层基板，其特征在于：上述多层基板在被层叠的状态下的基板扩展方向的热膨胀系数不到10ppm／℃。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||