| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体衬底上形成的MISFET的栅电极和所述MISFET的沟道下方阱区电连接的半导体装置中,将所述MISFET形成在所述半导体衬底上形成岛状的器件区域上,所述MISFET的栅电极与所述半导体衬底的阱区之间的电连接在所述岛状的器件区域侧面上实行。 | ||
| 申请公布号 | CN1279516A | 申请公布日期 | 2001.01.10 |
| 申请号 | CN00124135.4 | 申请日期 | 2000.06.30 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 八木下淳史;斋藤友博;饭沼俊彦 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，电连接有半导体衬底上形成的MISFET的栅电极和所述MISFET的沟道下方的阱区，其中，所述MISFET形成在所述半导体衬底上形成为岛状的器件区域上，以及所述MISFET的栅电极和所述半导体衬底的阱区之间的电连接，在所述岛状器件区域侧面上进行。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||