Silicon-oxide-nitride-oxide-semiconductor (SONOS) type memory cell and method for retaining data in the same,申请号US09/426100-传众专利搜索

发明名称	Silicon-oxide-nitride-oxide-semiconductor (SONOS) type memory cell and method for retaining data in the same
摘要
申请公布号	US6172907(B2)	申请公布日期	2001.01.09
申请号	US09/426100	申请日期	1999.10.22
申请人		发明人
分类号		主分类号
代理机构		代理人
主权项
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