发明名称 Trenched DMOS device provided with body-dopant redistribution-compensation region for preventing punch through and adjusting threshold voltage
摘要
申请公布号 US6172398(B2) 申请公布日期 2001.01.09
申请号 US09/132564 申请日期 1997.08.11
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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