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发明名称 Method for forming dual gate oxides on integrated circuits with advanced logic devices
摘要
申请公布号 US6171911(B2) 申请公布日期 2001.01.09
申请号 US09/395284 申请日期 1999.09.13
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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