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发明名称 Transistor sidewall spacers composed of silicon nitride CVD deposited from a high density plasma source
摘要
申请公布号 US6171917(B2) 申请公布日期 2001.01.09
申请号 US09/048192 申请日期 1998.03.25
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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