发明名称 | 厚膜光刻胶的低温金属化制备方法 | ||
摘要 | 一种厚膜光刻胶的低温金属化制备方法,在聚合物膜片如聚甲基丙烯酸PMMA的一侧表面,采用磁控溅射等方法,低温沉积厚度为10纳米~100纳米的金属种子层,然后将所得金属化膜片以金属化之侧面与金属或玻璃基底粘合,再对聚合物膜片进行减薄。金属导电性支撑层可以是单金属薄膜,也可以是金属或合金的多层膜。本发明解决了现有技术中厚胶内应力大、粘合效果不理想的难题,工艺稳定可靠,提高了制备效率和成品率。 | ||
申请公布号 | CN1278612A | 申请公布日期 | 2001.01.03 |
申请号 | CN00116542.9 | 申请日期 | 2000.06.15 |
申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 丁桂甫 |
分类号 | G03F7/00;H01L21/306 | 主分类号 | G03F7/00 |
代理机构 | 上海交通大学专利事务所 | 代理人 | 毛翠莹 |
主权项 | 1、一种厚膜光刻胶的低温金属化制备方法,其特征在于选择厚度1mm以上的聚合物膜片,分割成需要的大小,经清洗、干燥并热处理,然后采用磁控溅射对膜片一侧金属化,即在较低温度下对膜片一侧表面沉积导电性支撑层,先溅射沉积一层厚度为10纳米~100纳米的金属种子层,再用电镀方法快速加厚到1~3微米,之后用粘结剂将聚合物膜片金属化的一面与金属或玻璃基底粘合成一体,最后用旋转切铣方法对聚合物膜片进行减薄到200微米~2毫米。 | ||
地址 | 200030上海市华山路1954号 |