生长具有原子层单位平整度和界面突变的化合物半导体层的气相生长设备和方法

摘要

提供了一种可用来大批量生长具有原子层单位平整度和界面突变的化合物半导体层的气相生长设备和方法。生长室（１）有一个圆柱部分（１ｂ）和一个封闭圆柱部分（１ｂ）进气端的端板（１ａ）。端板（１ａ）上分别有一个阳、阴离子材料供气口（２）、（３）而排气装置位于圆柱部分（１ｂ）的出气侧。在圆柱部分（１ｂ）中有一个带有衬底固定表面（２０）的衬底支架（５）。气体分离元件（６）使圆柱部分（１ｂ)分开各材料气体独立的供于其中。驱动装置（７）使衬底支架（５）绕圆柱部分（１ｂ）的中心线旋转，于是阳离子材料和阴离子材料气体交替地供向衬底（４）的表面。

主权项

1．一种借助于交替供应阳离子材料气体和阴离子材料气体并使这些气体进行反应而在生长室(1)中保持在规定温度下的衬底(4)的表面上生长化合物半导体层的气相生长设备，其中：生长室(1)有一个沿进气侧到出气侧方向延伸的圆柱部分(1b)和一个封闭圆柱部分(1b)进气端部的端板(1a)，端板(1a)在其规定部位有一用来向圆柱部分(1b)供应阳离子材料气体的材料供气口(2)和一个用来向圆柱部分(1b)供应阴离子材料气体的材料供气口(3)，而且还包含。用来从圆柱部分(1b)的出气侧排出圆柱部分(1b)内的气体的排气装置(10)，一个位于圆柱部分(1b)进、出气侧之间并带有一个衬底固定表面(20，30，40)的衬底支架(5，15，25)，形成多个材料供气区的气体分离装置(6，16，26)，通过将从供气口(2，3)延伸到衬底固定表面(20)的材料气体气流路径分离开来使各材料气体独立地供向衬底固定表面(20)，以及用来使衬底固定表面(20)上置有衬底(4)的衬底支架(5，15，25)绕圆柱部分(1b)的中心线旋转的驱动装置；气体分离装置至少包含一个位于包有圆柱部分(1b)的中心线并从多个材料供气口(2，3)之间通过的平面内的隔板(6，6′，6A，6B，16，26)，以及其中的各个隔板(6A，6B)从圆柱部分(1b)的中心线径向延伸到圆柱部分(1b)的内壁并且以规定的角度相互相交，而且此角度根据材料气体供向衬底(4)的时间长度来设定。