Determination of parasitic capacitance between the gate and drain/source local interconnect of a field effect transistor,申请号US09/361698-传众专利搜索

首页产品黄页商标征信

会员服务注册登录

法人/股东/高管

发明名称	Determination of parasitic capacitance between the gate and drain/source local interconnect of a field effect transistor
摘要
申请公布号	US6169302(A)	申请公布日期	2001.01.02
申请号	US09/361698	申请日期	1999.07.27
申请人		发明人
分类号		主分类号
代理机构		代理人
主权项
地址

您可能感兴趣的专利

ESCALERA PLEGABLE, PERFECCIONADA.

LAVAVAJILLAS CON DISTRIBUIDOR DE DETERGENTE.

НЕЙТРАЛИЗАТОР-ДОЖИГАТЕЛЬ ДЛЯ ДВИГАТЕЛЯ ВНУТРЕННЕГО СГОРАНИЯ

УСТРОЙСТВО ДЛЯ СУДЕЙСТВА СПОРТИВНОЙ ИГРЫ ВОЛЕЙБОЛ

КЛАПАН ПРОТИВОПОЖАРНЫЙ КОМБИНИРОВАННЫЙ

УСТАНОВКА ДЛЯ РАСФАСОВКИ ВЯЗКИХ ПРОДУКТОВ В СТАКАНЧИКИ

ПЕРЕГОВОРНОЕ УСТРОЙСТВО

ОХЛАДИТЕЛЬ-ПОДОГРЕВАТЕЛЬ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ

ЛЕЧЕБНО-ДИАГНОСТИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС

ПОЛИМЕТР ЛЕСНОЙ ШАВНИНА

СИСТЕМА ЗАПУСКА ДВИГАТЕЛЯ ВНУТРЕННЕГО СГОРАНИЯ

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАЗОВАНИЯ ЩЕЛЕЙ В СТЕНКАХ СКВАЖИНЫ

ГРАДИРНЯ ТЕПЛОВОЙ ЭЛЕКТРОСТАНЦИИ

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЛИКВИДАЦИИ ПРОБОК В ТРУБОПРОВОДАХ

СКВАЖИННЫЙ СТРУЙНЫЙ НАСОС

МУСОРОВОЗ

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРЕДОТВРАЩЕНИЯ ПРОСКАЛЬЗЫВАНИЯ КОЛЕСА ТРАНСПОРТНОГО СРЕДСТВА (АВТОТРАК)

ДВУСТОРОННИЙ НОЖ

УСТАНОВКА ДЛЯ ОЧИСТКИ ПИТЬЕВОЙ ВОДЫ

ОДНОРАЗОВОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ЛЕКАРСТВЕННЫХ ФОРМ