| 主权项 |
1.一种具横向DMOS型电晶体之半导体装置,包含具有一半导体本体,具有一第一传导型之半导体基底,并且在基底上设置一磊晶半导体层接近半导体本体之表面上,该半导体本体设置在磊晶层与基底间之介面上,其第一传导型之层状区域,及相反之第二传导型之埋入层,其延伸在层状区域与基底间并且互相电地绝缘,第一传导型之至少3个互相分开之背闸区域,其接近表面且各设置一第二传导型之源极区域,及数个汲极区域,系第二传导型之重度掺杂表面区域之形式,位于背闸区域之间且藉由第二传导型之中等轻微掺杂汲极延伸与该等背闸区域分开,形成为磊晶层之一部分,位于埋入层与表面之间,其特征为复数个背闸区域各藉由第一传导型之区域,而传导地连接至第一传导型之该层状区域。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其特征为第一传导型之层状区域藉由磊晶层与基底间介面中设置之埋入层而形成第一传导型之层状区域。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其特征为磊晶层与基底系相同之第一传导型,而汲极区域包含数个互相分开之轻微掺杂区域,其各形成一汲极延伸,其实质上延伸在第一传导之复数个接合背闸区域间,所以仍维持复数个背闸区域与第一传导型之埋入层间之部分磊晶层,其形成背闸区域与此埋入层间之传导连接。4.如申请专利范围第2项之半导体装置,其特征为磊晶层系第二传导型,其中形成电晶体之该部分藉由第一传导型之埋入层而与埋入层电地绝缘,及一第一传导型之掺杂区域设置在各背闸区域与第一传导型之埋入层间,第一传导型之该掺杂区域形成背闸区域与第一传导型之埋入层间之传导连接。5.如申请专利范围第1,2,3或4项之半导体装置,其特征为基底,层状区域及背闸区域系p型,而电晶体之源极及汲极区域系n型。6.如申请专利范围第5项之半导体装置,其特征为装置包含一半桥式电路,具有一高电压之第一连接端,及一低电压之第二连接端,电晶体之源极区域连接至低电压之连接端,而电晶体之汲极区域连接至一第二电晶体之源极区域,其汲极区域连接至第一连接端。图式简单说明:第一图显示桥式电路的电气图,该电路设置有根据本发明的电晶体;第二图是根据本发明第一实施例的半导体装置剖面图;第三图是根据本发明第二实施例的半导体装置剖面图。 |
