| 主权项 |
1.一种制造自动对准之接触窗的方法,该方法系利用高层渠沟隔绝、选择性接触沈积,以及以一平整之元件水平表面为起始的技术,至少包含:a.提供一半导体基材,该基材具有高层渠沟隔绝区域,在该高层渠沟隔绝区域之间区隔并定义为主动区域;该基材上具有一闸氧化层位于该主动区域之中;b.形成一矽化金属层,在该第一闸电极层和该高层渠沟隔绝区域之上;c.形成一介电层,在该矽化金属层之上;d.形成一上氮化层,在该介电层之上;e.对该上氮化层、该介电层、该矽化金属层、该第一闸电极层,以及该闸氧化层共同进行侵刻;并且形成闸极构造,该闸极构造在该高层渠沟隔绝区域和该导线之间,以及该高层渠沟隔绝区域上具有侧壁构造;其中上述之基板并暴露紧邻在闸极构造上;f.在该闸极构造、该字元线渠沟,以及该高层渠沟隔绝区域之该侧壁上形成一间隙壁;以及g.在紧邻该间隙壁之该基板上选择性的形成接插塞。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一闸电极层之厚度约在800-1500埃之间。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该矽化金属层系由矽化钨所组成。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该接触插塞系由磊晶矽所组成的。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该接触插塞系由钨所组成的。6.一种制造自动对准之接触窗的方法,该方法系利用高层渠沟隔绝、选择性接触插塞沈积,以及以一平整之元件水平表面为起始的技术,包含:a.形成一闸氟化层,在一矽基板之上;b.形成一第一闸电极层,在该闸氧化层之上;c.形成一牺牲垫氧化叠层,在该第一闸电极层之上;d.形成一第一牺牲氮化层,在该牺牲垫氧化层之上;e.该第一牺牲氮化层、该第一牺牲垫氧化层、该第一闸电极层、该闸氧化层,以及该矽基板共同被侵刻形成多个渠沟;f.形成一填充氧化层,在该些渠沟中和该第一牺牲氮化层上;g.进行一氧化蚀刻;并在该渠沟上侵刻出比该第一氮化层顶端的水平位置低的凹槽;h.形成一第二牺牲氮化物层,覆盖在该填充氧化层,以及该第一牺牲氮化层上;i.利用化学机械研磨技术对该第二牺牲氮化层、该填充氧化层、以及该第一牺牲氮化层进行研磨,直到与在该渠沟中之第二牺牲氮化层水平等高位置后停止;j.对于非位于该渠沟中的填充氧化层进行氧化蚀刻移除;k.对于该第一牺牲氮化层以及该第二牺牲氮化层进行氮化蚀刻移除;l.其中之牺牲氧化层系利用氧化蚀刻移除,并形成定义为高层沟渠隔绝区域的构造;m.形成一矽化金属层,在该第一闸电极层和该高层渠沟隔绝区域之上;n.形成一介电层,在该矽化金属层之上;o.形成一上氮化层,在该介电层之上;p.对该上氮化层、该介电层、该金属矽化层、该第一闸电极层,以及该闸氧化层共同进行侵刻;并且形成闸极构造,该闸极构造在该高层渠沟隔绝区域和该导线之间,以及该高层渠沟隔绝区域上具有侧壁构造;其中上述之基板并暴露紧邻在闸极构造上;q.在该闸极构造、该导线,以及该高层渠沟隔绝区域上的侧壁上长成一间隙壁;r.紧邻于该间隙壁之该基板上选择性的形成接触插塞。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第一闸电极层之厚度约在800-1500埃之间。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第一牺牲垫氧化层之厚度约50-200埃之间。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第一牺牲氮化矽层厚度约在1800-2200埃之间。10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该些渠沟均延伸至该基板的内部约深3000-6000埃。11.如申请专利范围第6项所述之方法,在该第一次氧化蚀刻之后,该回填氧化矽层所凹陷的深度低于该第一牺牲氮化矽层顶端的平面系介于1000到1500埃之间。12.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第二牺牲氮化矽层厚度约500-800埃之间。13.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该些氧化物蚀刻步骤系利用缓冲氧化物蚀刻(BOE)反应,以及该氮化物蚀刻系利用热磷酸浸泡。14.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该金属矽化物层系由矽化钨所组成。15.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该接触窗插塞系由磊晶矽所组成的。16.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该接触窗插塞系由钨所组成的。图式简单说明:第一图至第九图为一系列的剖面图系利用本发明方法制造自动对准接触窗的过程,使用高层渠沟隔绝、选择性接触窗插塞沈积,以及保持元件层次一开始的平整性。 |
