防止造成电荷伤害的导电层制程

摘要

一种防止造成电荷伤害的导电层制程，其包括有下列步骤：首先，于一基底上形成一导电层；再于所述导电层的表面覆盖一层光阻；接着，对未被所述光阻覆盖之所述导电层进行蚀刻，并在蚀刻制程中施以一磁场；最后，于蚀刻终止后剥除所述光阻。本发明可以解决太多的电荷堆积导致之电浆放电(plasma charging）的问题，消除用蚀刻过程中造成之电荷伤害，达到较佳的制程性能。

主权项

1.一种防止造成电荷伤害的导电层制程,系包括:(a)于一基底上形成一阻障层(barrier layer);(b)形成一导电层于所述阻障层上;(c)对所述导电层进行蚀刻;(d)施加一磁场,并增加磁场大小;(e)蚀刻所述阻障层。2.如申请范围第1项所述之防止造成电荷伤害的导电层制程,其中所述阻障层系包含钛(Ti)金属层与氮化钛(TiN)层。3.如申请范围第1项所述之防止造成电荷伤害的导电层制程,其中所述导电层上可再多加一抗反射层(Anti-ReflectingCoating;ARC)。4.如申请范围第3项所述之防止造成电荷伤害的导电层制程,其中所述抗反射层系为氮化钛(TiN)层。5.如申请范围第1项所述之防止造成电荷伤害的导电层制程,其中所述导电层系为铝矽铜合金。6.如申请范围第1项所述之防止造成电荷伤害的导电层制程,其中所述磁场大小约介于40Gauss-60Gauss之间。7.一种防止造成电荷伤害的导电层制程,系包括:(a)于一基底上形成一阻障层(barrier layer);(b)形成一导电层于所述阻障层上;(c)于所述导电层上形成一抗反射层(Anti-ReflectingCoating;ARC);(d)对所述导电层与抗反射层进行蚀刻;(e)施加一磁场,并增加磁场大小;(f)蚀刻所述阻障层。8.如申请范围第7项所述之防止造成电荷伤害的导电层制程,其中所述抗反射层系为氮化钛(TiN)层。9.如申请范围第7项所述之防止造成电荷伤害的导电层制程,其中所述阻障层系包含钛(Ti)金属层与氮化钛(TiN)层。10.如申请范围第7项所述之防止造成电荷伤害的导电层制程,其中所述导电层系为铝矽铜合金。11.如申请范围第7项所述之防止造成电荷伤害的导电层制程,其中所述磁场大小约介于40Gauss-60Gauss之间。图式简单说明:第一图系绘示本发明实施例中基底上形成阻障层、铝矽铜合金之结构剖面示意图。第二图系绘示第一图之结构上形成抗反射层之结构剖面示意图。第三图系绘示第二图之结构上形成光阻之结构剖面示意图。第四图系绘示蚀刻导电层之结构剖面示意图。第五图系绘示蚀刻阻障层之结构剖面示意图。