| 主权项 |
1.一种记忆体细胞结构,其包含:复数个位元线;复数个在结合位元线上均等间隔的位元线接触点;复数个在结合位元线上相等间隔的储存节点的接触点;以及复数个在结合位元线上相等间隔的储存节点;其中在结合位元线上的储存节点与储存节点的接触点相对于在相邻位元线上的储存节点与储存节点的接触点位移。2.如申请专利范围第1项的记忆体细胞结构,其中储存节点与储存节点的接触点位移了相对于在相邻位元线上的储存节点与储存节点的接触点四分之一间距。3.如申请专利范围第1项的记忆体细胞结构,其中此储存节点基本上是圆形的形状。4.如申请专利范围第1项的记忆体细胞结构,其中储存节点的接触点基本上是圆形的形状。5.如申请专利范围第1项的记忆体细胞结构,其中此记忆体细胞结构是堆叠的动态存取记忆体。6.一种记忆体细胞布局结构的方法,其包含步骤:提供复数个位元线;提供复数个字线;提供在特定的结合位元线上均等间隔的复数个位元线接触点;提供在特定的结合位元线上均等间隔的复数个储存节点;相较于相邻结合位元线上的储存节点偏移此在特定位元线上的储存节点;并提供与每个储存节点结合之储存节点的接触点。7.如申请专利范围第6项的方法,其中储存节点与储存节点的接触点位移了相对于在相邻位元线上的储存节点与储存节点的接触点四分之一间距。8.如申请专利范围第6项的方法,其中储存节点基本上是圆形的形状。9.如申请专利范围第6项的方法,其中储存节点的接触点基本上是圆形的形状。10.如申请专利范围第6项的方法,其此记忆体细胞形成一堆叠的动态机存取记忆体。11.一种积体电路的接触点配置,其包含:在同一方向上均等间隔的第一复数个接触点;以及自第一复数个接触点偏移的第二复数个接触点,此第二复数个接触点均等的在上方向上间隔开,此第二复数个接触点相邻于第一复数个接触点。12.如申请专利范围第11项的接触点配置,其中的偏移为四分之一间距。图式简单说明:第一图说明一记忆体细胞结构;第二图说明在此记忆体细胞结构中储存节点的接触点之间隔;以及第三图说明在此记忆体细胞结构中储存节点的间隔。 |
