| 主权项 |
1.一咱用于回应入射光以提供感应信号之像素结构,包含:一组光选择元件,该组光选择元件具有预定厚度以只吸收具有对应光谱可见区域波长之光线。2.如申请专利范围第1项之像素结构,其中该组光选择元件包含一种二极体。3.如申请专利范围第2项之像素结构,其中该组光选择元件尚包含一传导层,该传导层是由上述二极体形成。3.如申请专利范围第2项之像素结构,其中该组光选择元件沿包含一传导层,该传导层是由上述二极体形成。4.如申请专利范围第2项之像素结构,其中该二极体包含一氢化多形矽(a-Si:H)接脚二极体。5.如申请专利范围第3项之像素结构,其中该传导层包含氧化铟锡(ITO)。6.如申请专利范围第4项之像素结构,其中该氢化多形矽(a-Si:H)接脚二极体具有0.02(m至1.0(m范围之厚度。7.如申请专利范围第5项之像素结构,其中该ITO层具有0.08(m至0.2(m范围之厚度。8.一种影像系统,包含:一影像感应器,其具有:一用于回应入射光及控制信号以提供感应器信号之像素结构,其具有一组光选择元件,该元件具有预定厚度以只吸收波长对应光谱可见光区域之光线;一种叠于像素结构上之滤波器元件阵列;一控制电路,其产生用于控制该影像感应器之该控制信号;及信号处理电路,其用于回应该感应信号以产生影像资料。9.如申请专利范围第8项之影象系统,其中该组光选择元件包含一种二极体。10.如申请专利范围第9项之影像系统,其中该组光选择元件尚包含一传导层,该传导层由上述二极体形成。11.如申请专利范围第9项之影像系统,其中该二极体包含一氢化多形矽(a-Si:H)接脚二极体。12.如申请专利范围第10项之影像系统,其中该第一传导层包含氧化铟锡(ITO)。13.如申请专利范围第11项之影像系统,其中该氢化多形矽(a-Si:H)接脚一极本具有0.02(m至1.0(m范围之厚度。14.如申请专利范围第12项之影像系统,其中该ITO层具有0.08(m至0.2(m范围之厚度。15.如申请专利范围第8项之影像系统,其中该控制电路包含CMOS装置。16.如申请专利范围第8项之影像系统,其中该控制电路包含CCD装置。17.一种形成具有一组光选择元件之像素结构之方法,该方法包含下列步骤:调制该组光选择元件之厚度以只吸收具有对应光谱可见光范围波长之光线。图式简单说明:图一显示一数位摄影机内所发现传统数位影像系统之组件方块图;图二显示一传统红绿蓝(RGB)彩色滤波器阵列(CFA)材料之透射特性;图三显示一利用包含IP滤波器及典型感应器响应特性之传统RGB CFA材料之摄影机系统之相关响应特性;图四显示根据本发明一实施例之一影像系统之组件方块图;图五显示根据本发明一实施例之一影像感应装置之像素结构;第六显示在CMOS像素控制电路上所形成之图五像素结构之细部截面图;图七显示具有800埃(A)之ITO层及0.25毫米((m)之二极体层之气化锡铟(ITO)覆盖针脚二极体之预定吸收特性;图八显示根据本发明一实施例具有800埃(A)之ITO层及0.20毫米((m)之二极体层之ITO覆盖针脚二极体之预定吸收特性;图九显示一根据本发明一实施例具有多个独立像素结构之影像感应装置阵列;及图十显示合并一具有多个根据本发明独立像素结构之影像感应装置阵列之影像系统。 |
