| 主权项 |
1.一种半导体控整流器结构,包括:一N型半导体层与一P型半导体层,具有一接面于其间;一阳极掺杂区,设置于该N型半导体层内;一阴极掺杂区,设置于该P型半导体层内;一第一接触区与一第二接触区,分别设置于该N型半导体层和该P型半导体层内;其中,该等阳极掺杂区和阴极掺杂区中之至少一者与该等接触区相对应之一者整合。2.如申请专利范围第1项所述之该半导体控整流器结构,其中,该阳极掺杂区与该第一接触区整合成一结合区。3.如申请专利范围第2项所述之该半导体控整流器结构,其中,该阳极掺杂区与该第一接触区经区分为复数区块,该等区块排列成该结合区。4.如申请专利范围第3项所述之该半导体控整流器结构,其中,该等阳极区块与接触区块呈交替排列。5.如申请专利范围第1项所述之该半导体控整流器结构,其中,该阴极掺杂区与该第二接触区整合成一结合区。6.如申请专利范围第5项所述之该半导体控整流器结构,其中,该阴极掺杂区与该第二接触区经区分为复数区块,该等区块排列成该结合区。7.如申请专利范围第6项所述之该半导体控整流器结构,其中,该等阴极区块与接触区块呈交替排列。8.如申请专利范围第1项所述之该半导体控整流器结构,尚包括:一N型掺杂区,以一部份设置于该N型半导体层内、以另一部份设置于该P型半导体层内;以及一闸极结构,设置于该阴极掺杂区与该N型掺杂区间之该P型半导体层上。9.一种半导体控整流器结构,包括:一浮接N型半导体层;一P型半导体层,与该N型半导体层间建构得一接面;一阳极掺杂区,设置于该N型半导体层内;一阴极掺杂区,设置于该P型半导体层内;一接触区,设置于该P型半导体层内;其中,该阴极掺杂区与该接触区整合成一结合区。10.如申请专利范围第9项所述之该半导体控整流器结构,其中,该阴极掺杂区与该接触区经区分为复数区块,该等区块排列成该结合区。11.如申请专利范围第10项所述之该半导体控整流器结构,其中,该等阴极区块与接触区块呈交替排列。12.如申请专利范围第9项所述之该半导体控整流器结构,尚包括:一N型掺杂区,以一部份设置于该N型半导体层内、以另一部份设置于该P型半导体层内;以及一闸极结构,设置于该阴极掺杂区与该N型掺杂区间之该P型半导体层上。13.一种半导体控整流器结构,包括:一N型半导体层;一浮接P型半导体层,与该N型半导体层间建构得一接面;一阳极掺杂区,设置于该N型半导体层内;一阴极掺杂区,设置于该P型半导体层内;一接触区,设置于该N型半导体层内;其中,该阳极掺杂区与该接触区整合成一结合区。14.如申请专利范围第13项所述之该半导体控整流器结构,其中,该阳极掺杂区与该接触区经区分为复数区块,该等区块排列成该结合区。15.如申请专利范围第14项所述之该半导体控整流器结构,其中,该等阳极区块与接触区块呈交替排列。16如申请专利范围第13项所述之该半导体控整流器结构,尚包括:一N型掺杂区,以一部份设置于该N型半导体层内、以另一部份设置于该P型半导体层内;以及一闸极结构,设置于该阴极掺杂区与该N型掺杂区间之该P型半导体层上。图式简单说明:第一图系显示习知一侧向半导体控整流器结构的布局顶视图;第二图系显示第一图的剖面图;第三图系显示习另一习知侧向半导体控整流器结构的布局顶视图;第四图系显示第三图的剖面图;第五图系显示根据本发明第一较佳实施例的布局顶视图;第六图所示为根据本发明第二较佳实施例的布局顶视图;第七图所示为根据本发明第三较佳实施例的布局顶视图;以及第八图系显示根据本发明第四较佳实施例的布局顶视图。 |
