发明名称 半导体装置
摘要 本半导体装置,备有载置着装在第一配线基板上的半导体封装、着装用的第二配线基板、以及将前述半导体封装的外部连接端子和着装用配线基板的外部连接端子的连接手段。在半导体封装的外部连接端子上,配设有表面覆盖着导电层的突起状电极端子,而在着装用配线基板的外部连接端子上,配设有多条纤维状电极成束交织所集合的集合电极层。尔后,半导体封装的突起状电极端子,可自由插拔的嵌合插入着装用配线基板侧的集合电极层内,在机械性固定的同时,也成为电气性连接。如此,即可以不使用焊锡而确保高度的着装信赖性。而且,更能使减低半导体装置材料成本以及削减制造工程的目的得以实现。
申请公布号 TW417261 申请公布日期 2001.01.01
申请号 TW088115242 申请日期 1999.09.03
申请人 东芝股份有限公司 发明人 小康弘
分类号 H01L23/00 主分类号 H01L23/00
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种半导体装置,其特征为具备:半导体封装,备有第一配线基板,配设有第一连接端子的第一领域和配设有连接于前述第一连接端子的第二连接端子的第二领域;半导体元件,连接于载置在该配线基板的前述第一领域的前述第一连接端子上;具有外部连接端子,该外部连接端子以与前述半导体封装的前述配线基板的第二连接端子相对向的方式配置的第二配线基板;备有将前述第一配线基板的前述第二连接端子、和前述第二配线基板的前述外部连接端子相连接的连接手段;前述连接手段,具有至少表面由导体构成的突起状电极端子、和至少表面由导体构成,可自由装脱且电气性连接于前述突起状电极端子的接受端子。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述接受端子,具有多条纤维状电极成束交织所集合成的集合电极层。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中前述控制手段,具有多层前述集合电极层所层积成的层积电极部,此层积电极部的各层集合电极层,和具有规定高度的前述突起状电极端子卡合成电气性的连接。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述接受端子,具有突起状的电极端子。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中前述突起状电极端子,具有柱状且前端形成扩径部的形状,前述接受端子,具有和此突起状电极端子大致相同形状的接受电极端子。图式简单说明:第一图为将本发明半导体装置的第一实施例,以模式化显示的断面图。第二图为将使用于第一实施例的半导体封装由内侧看到的斜视图。第三图A和第三图B显示第一实施例的连接部,将突起状电极端子由电极层分离的状态、以及整合的状态,分别扩大显示的断面图。第四图为在第一实施例的连接部,构成突起状电极端子和集合电极层的纤维状电极的构造,分别扩大显示的断面图。第五图为将本发明半导体装置的第二实施例,以模式化显示的断面图。第六图为将本发明半导体装置的第三实施例,以模式化显示的断面图。第七图为将本发明半导体装置的第四实施例所使用的着装用配线基板的平面图。第八图为将第四实施例的连接部扩大以模式化显示的断面图。第九图为将本发明第五实施例所使用的突起状电极端子和接受端子部的形状,分别以模式化显示的图。第十图将本发明第六实施例所使用的突起状电极端子
地址 日本