| 主权项 |
1.一种利用蚀刻气体电浆在对基底施加一偏压下非等向性蚀刻一位在基底上且含有一复晶矽膜和一矽化钛膜之复晶矽化钛膜的半导体装置的制造方法,其步骤包括:(a)使用一种由溴化氢或主要含溴化氢之气体作为蚀刻气体,并且使此蚀刻气体电浆之气体压力保持在2mTorr或者更低;以及(b)利用偏压电源保持在150瓦或者更多的此气体电浆蚀刻矽化钛膜以及复晶矽膜。2.一种利用蚀刻气体电浆在对基底施加一偏压下非等向性蚀刻一位在基底上且含有一复晶矽膜和一矽化钛膜之复晶矽化钛膜的半导体装置的制造方法,其步骤包括:(a)使用一种由溴化氢或主要含溴化氢之气体作为第一蚀刻气体,并且使该第一蚀刻气体电浆之气体压力保持在2mTorr或者更低;(b)利用偏压电源保持在150瓦或者更多的该第一气体电浆蚀刻矽化钛膜;(c)使用一种由溴化氢或主要含溴化氢之气体作为第二蚀刻气体,并且使该第一蚀刻气体电浆之气体压力保持在5-10mTorr;以及(d)利用偏压电源保持在10-100瓦或者更多的该第二气体电浆蚀刻该复晶矽膜。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该基底包含有一形成于半导体基底上之绝缘膜。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻气体是被导入一压力可降低的反应室内,且蚀刻气体在反应室内之残留时间约为0.01-0.02秒。5.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第一蚀刻气体是被导入一压力可降低的反应室内,且蚀刻气体在反应室内之残留时间约为0.01-0.02秒。6.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第二蚀刻气体是被导入一压力可降低的反应室内,且蚀刻气体在反应室内之残留时间约为0.01-0.02秒。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该形成于氮化钛膜上之氧化矽膜是在蚀刻步骤中作为罩幕。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该形成于氮化钛膜上之氮化矽膜是在蚀刻步骤中作为罩幕。9.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该形成于氮化钛膜上之氧化矽膜是在蚀刻步骤中作为罩幕。10.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该形成于氮化钛膜上之氮化矽膜是在蚀刻步骤中作为罩幕。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基底在蚀刻步之温度式设定在60℃或者更低的温度。12.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该基底在蚀刻步之温度式设定在60℃或者更低的温度。13.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该基底在蚀刻步之温度式设定在60℃或者更低的温度。14.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该基底在蚀刻步之温度式设定在60℃或者更低的温度。15.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该基底在蚀刻步骤之温度式设定在60℃或者更低的温度。16.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该基底在蚀刻步骤之温度式设定在60℃或者更低的温度。17.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该基底在蚀刻步骤之温度式设定在60℃或者更低的温度。18.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该基底在蚀刻步骤之温度式设定在60℃或者更低的温度。19.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该基底在蚀刻步骤之温度式设定在60℃或者更低的温度。20.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该基底在蚀刻步骤之温度式设定在60℃或者更低的温度。图式简单说明:第一图A-第一图E显示的是一根据本发明之实施例以形成膜之剖面制程;第二图A和第二图B显示的则是根据本发明之一实施例的蚀刻方法;第三图显是的是一蚀刻实验的结果,其可支持本发明之实施例的效果,并且显示在个别的气体压力(mTorr)、偏压电源(瓦)和温度(℃)下发生残余物的程度;第四图显示的是另一蚀刻实验结果,其可支持本发明之实施例的效果,并且显示在个别电源(瓦)和基底温度(℃)下发生残余物的程度;第五图显示的是另一蚀刻实验结果,其可支持本发明之实施例的效果,并且显示侧透蚀刻数量、气体压力和基底上二r复晶矽膜之温度间的关系;第六图A和第六图B显示的是习知一种非等向性蚀刻复晶矽化钨的方法;以及第七图显示的是本发明之实施例中所使用的蚀刻装置。 |
