| 主权项 |
1.一种降低导线与空隙的关键尺寸之制作方法,该方法包括:提供一基底;形成一导电层于该基底上;形成一罩幕层于该导电层上;对该罩幕层进行一第一缩减蚀刻步骤,以形成复数个第一开口,该些第一开口之上端宽度较下端宽度大;形成平坦化之一牺牲层,以填满该些第一开口,且该牺牲层和该罩幕层等高;对暴露出之单幕层进行一第二缩减蚀刻步骤,以形成复数个第二开口,该些第二开口之上端宽度较下端宽度大;去除该牺牲层;对暴露出之导电层进行一非等向性去除步骤;以及去除该罩幕层。2.如申请专利范围第1项所述之降低导线与空隙的关键尺寸之制作方法,其中该导电层的材质包括掺杂多晶矽。3.如申请专利范围第1项所述之降低导线与空隙的关键尺寸之制作方法,其中该导电层的材质包括金属铝。4.如申请专利范围第1项所述之降低导线与空隙的关键尺寸之制作方法,其中该导电层的材质包括金属铜。5.如申请专利范围第1项所述之降低导线与空隙的关键尺寸之制作方法,其中该罩幕层包括以化学气相沈积法所沈积之氧化矽。6.如申请专利范围第5项所述之降低导线与空隙的关键尺寸之制作方法,其中该第一缩减蚀刻步骤包括使用反应气体源为CH2F2/C4F8/Ar,流速分别约为4-8sccm、8-14sccm与400-500sccm,反应室压力约为30-50mTorr之反应性离子蚀刻法。7.如申请专利范围第1项所述之降低导线与空隙的关键尺寸之制作方法,其中该第一缩减蚀刻步骤包括使用一反应性离子蚀刻法。8.如申请专利范围第1项所述之降低导线与空隙的关键尺寸之制作方法,其中该牺牲层的材质包括具有流动性之材质。9.如申请专利范围第1项所述之降低导线与空隙的关键尺寸之制作方法,其中该牺牲层包括有机底部抗反射层。10.如申请专利范围第1项所述之降低导线与空隙的关键尺寸之制作方法,其中该第二缩减蚀刻步骤包括使用一反应性离子蚀刻法。11.一种突破微影技术解析度限制之导线与空隙的制作方法,该方法包括:提供一基底;形成一导电层于该基底上;形成一罩幕层于该导电层上;利用一第一缩减蚀刻步骤,以形成上宽下窄之复数个第一开口,暴露出该导电层之表面;形成和该罩幕层等高之一牺牲层,以覆盖暴露出之该导电层的表面;对该罩幕层进行一第二缩减蚀刻步骤,以形成上宽下窄之复数个第二开口;去除该牺牲层;对暴露出之该导电层进行一非等向性去除步骤;以及去除该罩幕层。12.如申请专利范围第11项所述之突破微影技术解析度限制之导线与空隙的制作方法,其中该导电层的材质包括掺杂多晶矽。13.如申请专利范围第11项所述之突破微影技术解析度限制之导线与空隙的制作方法,其中该导电层的材质包括金属铝。14.如申请专利范围第11项所述之突破微影技术解析度限制之导线与空隙的制作方法,其中该导电层的材质包括金属铜。15.如申请专利范围第11项所述之突破微影技术解析度限制之导线与空隙的制作方法,其中该罩幕层包括以化学气相沈积法所沈积之氧化矽。16.如申请专利范围第11项所述之突破微影技术解析度限制之导线与空隙的制作方法,其中该第一缩减蚀刻步骤包括使用一反应性离子蚀刻法。17.如申请专利范围第11项所述之突破微影技术解析度限制之导线与空隙的制作方法,其中该牺牲层包括有机底部抗反射层。18.如申请专利范围第11项所述之突破微影技术解析度限制之导线与空隙的制作方法,其中该第二缩减蚀刻步骤包括使用一反应性离子蚀刻法。19.一种形成罩幕层图案的方法,该方法包括:提供一基底;形成一物质层;形成一罩幕层;以及对该罩幕层进行二缩减蚀刻步骤,以形成截面为一三角形之复数个线条,其中该三角形之一边覆盖在该物质层上。20.如申请专利范围第19项所述之形成罩幕层图案的方法,该方法更包括:以非等向性去除法来去除暴露出之该物质层;以及去除该罩幕层。图式简单说明:第一图A-第一图G是依照本发明较佳实施例的一种降低导线与空隙的关键尺寸之制作流程剖面图。 |
